Simulación De Rtd Y Resistencia - BEAMEX MC5P Guia Del Usuario

Simulación de RTD y Resistencia
El MC5P imita la RTD o la resistencia a medir por el instrumento bajo comprobación. El instrumento genera la co-
rriente para la medicion de resistencia. El MC5P controla la tensión existente en sus terminales de forma que la resis-
tencia (ratio de tensión a corriente) corresponde a la temperatura o resistencia simulada. El MC5P puede simular va-
lores de resistencia de 1 a 4000 ohm.
Los terminales para la simulación de RTD y resistencia están ubicados en el modulo ET.
Ajustes necesarios Opciones/descripción
Cantidad Temp. RTD
Resistencia
Función/Puerto ET: RTD(sim)
ET: R(sim)
Tipo de sensor
Sensores RTD disponibles. Solo son necesarios cuando se hace la Simulación RTD.
El valor de resistencia correcta esta entre los terminales de simulación de resistencia del calibrador. Del instrumento
receptor depende el uso de la conexión de 2,3 o 4 hilos. Solo deben usarse los dos terminales a la izquierda
con cada opción de conexionado. Conectar el tercer hilo en los terminales
cuarto en los terminales R, RTD en la parte superior izquierda.
Notas.
En la simulación de RTD y resistencia, el MC5P mide la corriente de medición de resistencia. Si la corriente es muy
alta no podrá, similar el valor de resistencia correcto. En este caso mostrara el mensaje "H.CURR" (corriente alta). De
la misma forma, si la corriente de medicion es tan baja que puede afectar a la precision, mostrara el mensaje
"L.CURR" (corriente baja).
Para el funcionamiento preciso de la electrónica de simulación, es necesario que la corriente suministrada por el ins-
trumento en comprobación no varié rápidamente. El resultado de la simulación no es preciso si el instrumento usa
corriente alterna. Si se usa corriente de medición de pulsos, debe esperar unos milisegundos para iniciar la medición
después de ajustar la corriente.
Guia del Usuario del MC5P - Parte B
(para la simulación RTD)
(para la simulación de resistencia)
(para la simulación RTD)
(para la simulación de resistencia)
E L E C T R I C A L A N D T E M P E R A T U R E M O D U L E E L E C T R I C A L M O D U L E
F O R M C 5 P F O R M C 5 P
I N T E R N A L R E F E R E N C E J U N C T I O N
F O R T H E R M O C O U P L E S
( E N V ) , E N V I R O N M E N T A L
T E M P E R A T U R E S E N S O R
T / C I N T . R J
O p e n O p e n
( E X T ) , E X T E R N A L
T / C P R E S S U R E M O D U L E
W I R E S
O N L Y
C l o s e C l o s e
S E N S O R M E A S U R E & S I M U L A T E O U T P U T M E A S U R E
2 - w x m t r
1
T / C , L o w V R , R T D 4 - w m e a s V , , 1 + 2 4 V
m e a s / s i n k
3 & 4 - w m e a s V , , C o m
H A R T ®
M a x 6 0 V D C / 3 0 V A C
M a x 6 0 V D C
M a x 3 0 V A C
L o w V
S / N S / N
en la parte inferior izquierda y el
R, RTD
M U L T I F U N C T I O N C A L I B R A T O R
?
R, RTD
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