Woodward HighPROTEC MCDGV4 Manual De Referencia página 336

9 Parámetro de protección
9.32 PdE-Z2[1] . . . PdE-Z2[2]
PdE-Z2[1] . Offset Mho
-2.5Ω
Reactancia offset zona Mho en ohmios (valor secundario).
PdE-Z2[1] . t-Z
60.0s
Retraso hora selección zona Mho.
PdE-Z2[1] . Z direccional
inactivo
Supervisión direccional zona Mho activa o inactiva.
PdE-Z2[1] . Ángulo dir Z
-10°
Ángulo de supervisión direccional zona Mho.
PdE-Z2[1] . Desconexión rápida
V<
activo
Descon acelerada zona Mho por pérdida voltaje activo o inactivo.
PdE-Z2[1] . V<
0.80Vn
Nivel selección voltaje zona Mho
336
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
Si: TC Ntr . CT sec = 1A
• -250.0Ω . . . +250.0Ω
Si: TC Ntr . CT sec = 5A
• -50.0Ω . . . +50.0Ω
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
0.00s . . . 400.00s
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
inactivo, activo
╚═▷ Modo.
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
-20° . . . 0°
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
inactivo, activo
╚═▷ Modo.
[Parám protec / Def 1...4 / Prot PdE / PdE-Z2[1]]
0.01Vn . . . 2.00Vn
MCDGV4
P.2
P.2
P.2
P.2
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MCDGV4-3.6-ES-REF