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Modelo
Potencia máxima (Pmax)
Tensión de circuito abierto (Voc)
Tensión de cortocircuito (Isc)
Tensión a la máxima potencia (Vpm)
Corriente a la máxima potencia (Ipm)
Número de células en serie
Tipo de célula
Tensión máxima del sistema (Vsys)
Amperaje máximo de protección contra
sobrecorriente
Diodo de derivación instalado de fábrica
Largo x ancho x alto
Peso
Heterounión de silicio*: Silicio monocristalino/heterounión de silicio amorfo
Vista frontal
Tabla 1-4. Especificaciones del modelo
+10/-0 %
W
±10 %
V
90 %
A
V
A
uds.
V
A
uds.
mm
kg
Figura 1-4. Dimensiones del panel (VBHNxxxSJ47)
VBHN320SJ47
320
69,4
5,98
57,3
5,59
Heterounión de silicio*
1590 × 1053 × 35
10±0,3
Vista trasera
* Todos los orificios son simétricos respecto del centro del panel.
Sección A-A'
Nota) Los paneles se instalan utilizando un montaje simétrico de
4 puntos dentro de un margen de ajuste (zona sombreada).
Vista lateral
7
VBHN325SJ47
VBHN330SJ47
325
69,6
6,03
57,6
5,65
96
1000
15
4
19
Dimensiones en mm
Distancia entre el orificio de instalación (1009)
526,5
(25,25)
(20,25)
Sección B-B'
330
69,7
6,07
58
5,7
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