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Procesador Intel Xeon E3-1200 v6, procesador Intel Pentium G4560 de 3,50 GHz, procesador Intel Pentium
G4600 de 3,60 GHz, procesador Intel Core i3-7100 de 3,90 GHz o procesador Intel Core i3-7300 de
4,00 GHz:
Tipo de DIMM
UDIMM
UDIMM
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite dos canales, y
cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal
1
2
Las ranuras DIMM se identifican por un número y letra. Las letras identifican el orden de ocupación. Los
mensajes de la ROM durante el arranque informan sobre los números de ranura y estos también se utilizan
en los informes de error.
Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones, configuraciones y
compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas) del producto en el sitio web
de Hewlett Packard Enterprise.
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o lee
en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de rango único en el mismo
módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En la práctica, un módulo DIMM de
cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble en el mismo módulo. Solo es posible acceder a
un rango cada vez. El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del
módulo DIMM cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de
memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM de rango único de 8
GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de memoria
DRAM en el módulo DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el módulo DIMM
parezca un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM aísla la carga eléctrica de la
memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Esto permite una mayor velocidad
de funcionamiento de la memoria en comparación con la de los módulos RDIMM de cuatro rangos.
Identificación de los módulos DIMM
Para determinar las características del módulo DIMM, consulte la etiqueta adherida al módulo y la tabla y la
ilustración siguientes.
Rango de DIMM
Rango único (8 GB)
Rango doble (16 GB)
Orden de ocupación
A
C
B
D
Capacidad máxima
32
64
Número de ranura
3
4
1
2
Arquitectura del subsistema de memoria
69
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