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Opciones de memoria
NOTA:
Este módulo de proceso no admite la combinación de memorias LRDIMM y RDIMM. Si
intenta mezclar cualquier combinación de estos módulos DIMM, puede provocar que el módulo de
proceso se detenga durante la inicialización del BIOS.
El subsistema de memoria de este módulo de proceso admite módulos LRDIMM y RDIMM. Todos
los tipos de memoria se denominan DIMM cuando la información se aplica a todos los tipos. Cuando
la información se aplica únicamente a la memoria LRDIMM o RDIMM, se especifica explícitamente.
Todas las memorias instaladas en el módulo de proceso deben ser del mismo tipo.
Arquitectura del subsistema de memoria
Cada una de las placas del sistema de los módulos de proceso HPE Synergy 620 Gen9 y
HPE Synergy 680 Gen9 tienen dos procesadores Intel Broadwell-EX.
Cada procesador contiene dos controladores de memoria integrados (iMC).
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Cada iMC admite dos canales Intel SMI2 conectados a un búfer de memoria individual.
●
Cada búfer de memoria controla dos canales DDR4.
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Cada canal DDR4 admite un máximo de tres módulos DIMM DDR4. Cada procesador admite
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hasta 24 módulos DIMM.
Los canales SMI2 que conectan los búferes de memoria a la CPU funcionan de forma
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independiente.
Los canales DDR que están detrás de cada búfer de memoria pueden funcionar bien en modo
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LockStep (sincronía) (cuando el sistema está configurado en modo RAS) o en modo
independiente (cuando está configurado en el modo de rendimiento).
No se admite la combinación de distintos tipos de memoria (LR-DIMM/R-DIMM).
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DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En
la práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble en el
mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del módulo de proceso selecciona el rango adecuado de la DIMM cuando escribe en una
DIMM o lee desde esta.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de
memoria DRAM en el módulo DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que
el módulo DIMM parezca un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM
aísla la carga eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido.
Esto permite una mayor velocidad de funcionamiento de la memoria en comparación con la de los
módulos RDIMM de cuatro rangos.
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Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware
ESES
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