Lenovo ThinkEdge SE350 V2 Guía De Mantenimiento página 157

Memoria
Memoria
Consulte para obtener información detallada sobre la preparación y configuración de la memoria.
• Ranuras: 4 ranuras DIMM
• Tipos de módulo de memoria:
– DIMM de doble velocidad de datos 4 (TruDDR4) código de corrección de errores (ECC), DIMM (RDIMM)
registrado de 3200 MHz
Nota: La memoria funciona hasta a 2933 MHz, según el procesador seleccionado.
• Capacidad:
– 16 GB (2Rx8)
– 32 GB (2Rx4, 2Rx8)
– 64 GB (2Rx4)
• Capacidad total
– Mínima: 16 GB
– Máxima: 256 GB
Para obtener una lista de los módulos de memoria admitidos, consulte:
Unidades de arranque M.2
Unidades de arranque M.2
ThinkEdge SE350 V2 admite hasta dos PCIe Gen3x1 80 mm (2280) M.2 en la placa del módulo de E/S para funciones
de arranque.
Expansión de almacenamiento
Expansión de almacenamiento
ThinkEdge SE350 V2 admite una de las siguientes configuraciones de almacenamiento:
• Hasta cuatro unidades de intercambio en caliente de 7 mm y 2,5", que admiten unidades SATA o NVMe
• Hasta dos unidades de intercambio en caliente de 15 mm y 2,5", que admiten unidades NVMe
Red
Red
ThinkEdge SE350 V2 proporciona red a través de una de las siguientes opciones de placas de módulo de E/S
(también conocido como paquetes de LOM):
• Placa del módulo de E/S de 10/25 GbE
– Cuatro conectores SFP28 de 10/25 GbEconectores SFP+ Ethernet de 25 GB/10 GB
Nota: La velocidad de transmisión de los conectores SFP28 podría ser de 10 Gbps o 25 Gbps, según el
procesador seleccionado. Los procesadores con al menos 16 núcleos admiten una velocidad de transmisión de
25 Gbps.
– Dos conectores RJ-45 de 2,5 GbE
– Un Puerto de gestión del sistema XCC (RJ-45 de 1 GbE)
• Placa del módulo de E/S de 1 GbE
– Cuatro conectores RJ-45 de 1 GbE
– Dos conectores RJ-45 de 2,5 GbE
– Un Puerto de gestión del sistema XCC (RJ-45 de 1 GbE)
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Capítulo 3 Determinación de problemas
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