Configuración De Memoria - ESAB SENTINEL A50 Manual De Instrucciones

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Modo de soldadura (sombra 5~9)/modo de corte (sombra 9~13): retardo 0~10 (consulte la
fig. 7)
Modo de esmerilado: ningún ajuste de retardo
El retraso es particularmente útil en la eliminación del brillo del rayo posterior presente en
aplicaciones con un amperaje superior, en las que el brillo de la poza fundida permanece unos
instantes después de soldar. Utilice los botones de control de retardo de la lente para ajustar el
retardo de 0 a 10 (de 0,1 a 1,0 segundos). Cuando se detiene la soldadura, la ventana de
visualización cambia automáticamente de oscuridad a luminosidad, pero un retardo predefinido
compensa el brillo posterior en la pieza. El tiempo de retardo
/respuesta puede ajustarse desde el nivel 0 hasta el nivel 10. Se recomienda utilizar un retardo más
breve con aplicaciones de soldadura por puntos y un retardo prolongado con aplicaciones que
utilicen corrientes más altas. Los retardos más prolongados también se pueden utilizar para una
soldadura TIG de corriente inferior y TIG/MIG/MAG por pulsos.
CONFIGURACIÓN DE MEMORIA
Este filtro de oscurecimiento automático puede guardar los parámetros predefinidos como
configuración de memoria. Los usuarios pueden usar la configuración de memoria cuando la
necesiten. El sistema puede guardar 8 conjuntos de parámetros como máximo. A continuación se
indican como ejemplo los pasos detallados de la memoria 1:
Paso 1: toque "MEMORY" (MEMORIA) en la pantalla y establézcala en "1" tocando "
(consulte la fig. 8a-A).
Paso 2: configure el número de sombra, la sensibilidad y el retardo a través de "
Paso 3: después de terminar con la configuración, toque "SET" para guardarla (consulte la
fig. 8b-A). El "1" que aparece después de "MEMORY" (consulte la fig. 8b-B) parpadeará, lo que
indica que el sistema ha guardado los parámetros configurados previamente y ha asignado a
este conjunto el nombre "1".
Paso 4: MEMORY 2 (MEMORIA 2) a MEMORY 8 (MEMORIA 8) se pueden configurar de la
misma manera. Los usuarios pueden usar la configuración de memoria tocando primero
"MEMORY" y, a continuación, seleccionando uno de los conjuntos mediante "
fig. 7
fig. 8a
5
" y "
"
" y "
".
" y "
".

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