Principio De La Alta Impedancia - Areva MiCOM P120 Guia Tecnica

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P12x/ES AP/A96
Página 18/80
6.2

Principio de la alta impedancia

Se utilizan esquemas de alta impedancia para una configuración diferencial en donde un
transformador de intensidad está completamente saturado y los demás TIs están en buen
estado.
Ti sin saturación
Z m
FIGURA 4 : PRINCIPIO DEL ESQUEMA DE ALTA IMPEDANCIA
La tensión aplicada en el relé es
V
=I
(R
+ 2R
r
f
CT
L
Si: Valor máximo de la intensidad de falta externa secundaria.
R
: Resistencia del devanado secundario del transformador de intensidad.
TI
R
: Resistencia de un solo hilo desde el relé al TI
L
Una resistencia de estabilización R
mejorar la estabilidad del relé bajo condiciones de falta externas. Esta resistencia limita la
intensidad de desequilibrio a un valor inferior a I
V
=I
(R
)
s
s
ST
I
Ajuste intensidad relé
s:
V
: Ajuste de la tensión de estabilidad
s
Nótese que se ha tenido en cuenta el consumo del relé.
Las condiciones generales de estabilidad se pueden obtener cuando:
V
> K.I
(R
+ 2R
s
f
CT
Donde K es el factor de estabilidad.
El factor de estabilidad es influenciado por la relación V
estabilidad del elemento de protección REF frente a las faltas externas.
V
= Tensión de codo del TI.
k
Para obtener un funcionamiento de alta velocidad en el caso de faltas internas, la tensión de
codo V
del TI debe ser significativamente más alta que la tensión de estabilidad V
k
relación de 4 o 5 será adecuada.
Para los relés MiCOM P121, P122 y P123 encontramos los resultados siguientes:
K= 1 cuando Vk/Vs es inferior o igual a 16 y
K= 1.2 cuando Vk/Vs > 16.
NOTA:
Circuito
protegido
R CT1
R L1
V S
R L2
)
puede ser utilizada en serie con el circuito del relé para
ST
)
L
El nivel máximo de falta interna para el umbral 3 de una tarjeta de
0.002 a 1In no debe exceder 20In.
MiCOM P120/P121/P122/P123
Ti saturado
R CT2
I
F
R L3
R ST
R R
R L4
s
/V
k
Guía de aplicación
Z m
A - G
que a su vez determina la
s
. Una
s

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