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5. Atribuição de conexão
Fig. 1 A Meandro de aquecimento, B Corrente de amostra
através de cristal de Ge, C Sensor de temperatura PT100
6. Operação
A montagem da placa condutora no aparelho básico
do efeito de Hall, assim como o circuito da montagem
experimental está descrita nas instruções de operação
do aparelho básico para o efeito de Hall.
7. Cuidados e manutenção
•
Para a limpeza utilizar um pincel macio, sempre
que for possível não tocar o cristal com os dedos.
•
Após da utilização e esfriamento guardá-lo na
embalagem original.
8. Eliminação
•
Para o descarte não jogar a placa condutora no
lixo doméstico normal. Deve ser observada a
regulamentação local para a eliminação de
descartes eletrônicos.
A embalagem consiste de materiais ecológicos e
recicláveis.
•
Descartar em postos de reciclagem local.
Elwe Didactic GmbH • Steinfelsstr. 5 • 08248 Klingenthal • Alemanha •
3B Scientific GmbH • Rudorffweg 8 • 21031 Hamburgo • Alemanha •
Medição da capacidade de condução em dependência
da temperatura
U / mV
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
Fig. 2 Tensão de amostra U em dependência da temperatura T
(Queda de tensão no cristal de Ge em 2 e 3 mA de corrente
de amostra)
Grandezas de medição:
U
: Tensão de amostra (aparelho básico)
P
T
: Temperatura da amostra (aparelho básico)
P
Grandezas derivadas:
Capacidade condutora:
Temperatura absoluta em Kelvin:
Representação:
Porque
condutora intrínseca) vale:
σ
ln
Eg ≈ 0,7 eV
= ,
k
8
σ
ln ( / S/m)
6
5
4
3
2
1
0
0.0022
Fig. 3 Capacidade condutora σ em dependência da
temperatura absoluta T
Sob reserva de modificações técnicas
© Copyright 2012 3B Scientific GmbH
9. Experiências
300
350
I
σ
=
U
⎛
⎞
1
σ
=
⎜
⎟
ln
f
⎝
⎠
T
em
temperaturas
Eg 1
=
σ
⋅
ln
-
2
K
T
Distancia de banda do Ge
eV
5 −
⋅
625
10
Constante de Boltzmann
K
0.0024
0.0026
0.0028
0.0030
www.elwedidactic.com
www.3bscientific.com
I = 2 mA
I = 3 mA
400
450
T / K
20
mm
⋅
⋅
10
mm
1
mm
=
+
T
T
273,15
K
P
maiores
(capacidade
I = 2 mA
I = 3 mA
0.0032
0.0034
1/ / 1/K
T
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