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La transconductancia, siempre creciente con la corriente de drain, es la
responsable del sonido característico o timbre de estos dispositivos, las
componentes armónicas de la distorsión caen fuertemente más allá de la
segunda.
Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente
necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa
ampliamente en conmutación. Su velocidad permite diseñar etapas con
grandes anchos de banda minimizando, así, lo que se denomina distorsión
por fase.
Los MOSFET de potencia presentan una impedancia de entrada muy alta.
En consecuencia el circuito driver es de muy baja potencia, aumentando
el rendimiento global del amplificador, y aumentando el tiempo medio
entre fallas por haber menor número de transistores.
En diseños de alta potencia los transistores MOSFET pueden aparearse para
entregar mayor corriente a la carga, resultando esta configuración muy
estable termicamente.
La configuración MOSFET MOSFET
Exclusiva de VN es la topología de excitador-transistor construida
enteramente con transistores MOSFET.
Topología tradicional
Topología exclusiva de VN
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