Especificaciones Técnicas Módulo Vn716M - VN 716M Manual Del Usuario

Especificaciones Técnicas módulo VN716M:
-Transistores de salida MOSFET, excitadores (drivers) MOSFET.
-Totalmente diseñado con componentes discretos.
-Protección total.
-Distorsión armónica total: 0.01% THD. @1kHz, 120W, carga 8ohms.
-Ancho de banda: 0.1Hz a 146 KHz a -3db.
-Potencia en la carga: 120W RMS sobre 8ohms, 200W RMS sobre 4ohms por
canal (@ 220V).
-Factor de amortiguamiento (damping factor): <700
-Slew Rate 123V/µs
-Impedancia de entrada 50K ohms.
-Entradas desbalanceadas.
-Cables libres de oxígeno.
-Soldaduras con saturación de plata (Ag).
-Transformador toroidales .
-10.000 uf de filtrado.
-Fuente regulada de tensión para la polarización.
-Gabinete normalizado 19', 4 unidades de rack.