SGI 1450 Guia Del Usuario página 34

2: Descripción de la tarjeta base
Memoria
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El caché L2 se encuentra en el substrato del cartucho de S.E.C. El caché:
• Está disponible en configuraciones de 1 MB y 2 MB
• Tiene Código de corrección de errores (ECC)
• Opera a la tasa de reloj básica completa
La memoria principal reside en una tarjeta complementaria, llamada módulo de
memoria. El módulo de memoria contiene ranuras para 16 DIMM, cada uno de los cuales
debe ser de por lo menos 64 MB, y está conectado a la tarjeta base a través de un conector
de 330 clavijas, denominado Conector de tarjetas de expansión de memoria (MECC). El
módulo de memoria respalda módulos de memoria SDRAM de ECC registrados que
cumplen con las especificaciones de PC-100. El ECC utilizado para el módulo de
memoria puede corregir errores de un sólo bit (SBE) y detectar el 100 por ciento de los
errores de dos bits en una palabra código. Se proporciona igualmente la detección de
errores de fragmentos de byte.
La memoria del sistema comienza en la dirección 0 y es continua (direccionamiento
plano) hasta la cantidad máxima de DRAM instalada (excepción: la memoria del sistema
no es contigua en los rangos definidos como espacios de memoria en blanco que utilizan
registros de configuración). El sistema respalda la memoria base (convencional) y la
extendida.
• La memoria base se encuentra en las direcciones 00000h a 9FFFFh (el primer 1 MB).
• La memoria extendida comienza en la dirección 0100000h (1 MB) y se extiende a la
3FFFFFFFFh (16 GB), la cual es el límite de la memoria de direccionamiento
respaldada. El límite máximo de la memoria física es de 16 GB (3FFFFFFFFh).
Se respaldan niveles de memoria de 256 MB a 16 GB de DIMM, con una ruta de cuatro
vías intercaladas de 64/72 bits a la memoria principal, la cual se encuentra también en el
módulo. Por lo tanto, las transferencias de datos entre las MADP y los DIMM son de
cuatro vías intercaladas. Cada uno de los cuatro DIMM debe estar instalado en un banco.
Las 16 ranuras se dividen en cuatro bancos de cuatro ranuras cada uno. Están
identificados con rótulos de la A a la D. El banco A contiene los receptáculos de DIMM
A1, A2, A3 y A4. Los bancos B, C y D contienen 4 receptáculos de DIMM cada uno y
tienen los mismos nombres anteriores. Existen rótulos estampados en el módulo a un
lado de cada receptáculo de DIMM para identificar su número de banco. Para obtener los
mejores resultados térmicos, llene los bancos de A a D. Por ejemplo, llene el banco A y,
seguidamente, el banco B. Para obtener los mejores resultados de rendimiento, llene los
bancos adyacentes. Por ejemplo, comience por el banco A y siga por el banco C.
007-4274-001ESP