Dell PowerEdge R530 Manual Del Propietário página 163

Memoria
Arquitectura
Zócalos de módulo de memoria Doce de 288 patas
Capacidades del módulo de
memoria
RDIMM
RAM mínima
RAM máxima
Unidad de fuente de alimentación
Potencia nominal por unidad de fuente de
alimentación (intercambio activo)
Potencia nominal por unidad de fuente de
alimentación (cableada)
Disipación de calor
NOTA: La disipación de calor se calcula
mediante la potencia del suministro de
energía.
Tensión
NOTA: Este sistema ha sido diseñado
también para que se conecte a sistemas
de alimentación de TI con un voltaje
entre fases no superior a 230 V.
DDR4 de 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s o 2133 MT/s registrados,
banco de sustitución de código de corrección de errores (ECC),
DIMM de corrección de datos de dispositivo único (SDDC)
Compatibilidad con ECC avanzado o funcionamiento con
optimización de memoria
4 GB/8 GB/16 GB/32 GB
4 GB con un único procesador
8 GB con un mínimo de dos procesadores con un módulo de
memoria (por procesador)
Hasta 256 GB con un procesador único
Hasta 384 GB con un procesador doble
Capacidad
1100 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 12
A-6,5 A)
750 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 10
A-5 A)
750 W (Platinum) de CC (240 V de CC, 4,5 A)* (Solo en
China)
495 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 6,5
A-3 A)
450 W (Bronze) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 6,5
A-3,5 A)
1871 BTU/h como máximo (fuente de alimentación de
450 W)
1908 BTU/h como máximo (fuente de alimentación de
495 W)
2891 BTU/hr máxima (suministro de energía de 750 W)
4100 BTU/h máxima (suministro de energía de 1100 W)
100–240 V CA, autoajustable, 50/60 Hz
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