Bus de expansión
Memoria
Arquitectura
Zócalos de módulo de memoria Dieciséis zócalos de 288 patas
Capacidades del módulo de
memoria (RDIMM)
RAM mínima
RAM máxima
Unidad de fuente de
alimentación
Potencia nominal por unidad de
fuente de alimentación
(intercambio activo)
Disipación de calor
NOTA: La disipación de
calor se calcula mediante
la potencia del suministro
de energía.
Tensión
NOTA: Este sistema ha sido
diseñado también para que
se conecte a sistemas de
alimentación de TI con un
voltaje entre fases no
superior a 230 V.
(Ranura 3) Un enlace x4 de media longitud y bajo
perfil (de la PCH)
DDR4 de 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s o 2133 MT/s registrados,
banco de sustitución de código de corrección de errores (ECC),
DIMM de corrección de datos de dispositivo único (SDDC)
Compatibilidad con ECC avanzado o funcionamiento con
optimización de memoria
4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB
4 GB con un único procesador
8 GB con un procesador doble (con un módulo de memoria por
procesador como mínimo)
Hasta 256 GB con un procesador simple
Hasta 512 GB con un procesador doble
Capacity
1100 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 12 A-6,5 A)
750 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 10 A-5 A)
750 W (Platinum) de CC (240 V CC, 4,5 A)
NOTA: Solo para China
495 W (Platinum) de CA (de 100 a 240 V, 50/60 Hz, 6,5 A-3 A)
1908 BTU/h como máximo (fuente de alimentación de 495 W)
2891 BTU/h máxima (fuente de alimentación de 750 W)
4100 BTU/h máxima (fuente de alimentación1100 W)
100–240 V CA, autoajustable, 50/60 Hz
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