Publicidad
Configuración de memoria ECC avanzada
La memoria ECC avanzada es el modo predeterminado de protección de memoria para este blade
de servidor. La memoria ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar
los errores de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de
ECC estándar, el error se indica en el blade de servidor y hace que este se detenga.
La memoria ECC avanzada protege el blade de servidor de algunos errores de memoria de múltiples
bits. La memoria ECC avanzada puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como
los errores de memoria de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo
dispositivo DRAM del DIMM.
La memoria ECC avanzada proporciona más protección que ECC estándar, ya que es posible
corregir algunos errores de memoria que, de otro modo, serían incorregibles y provocarían fallos en
el blade de servidor. Con el uso de la tecnología de detección de errores de memoria avanzada de
HPE, el blade de servidor proporciona una notificación cuando el módulo DIMM se está deteriorando
y es más probable que tenga errores de memoria imposibles de corregir.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones.
Si se producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el blade de servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el blade
de servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria que no se pueden corregir
y que, de otra manera, provocarían un periodo de inactividad en el blade de servidor. La creación de
réplicas se lleva a cabo en el nivel de canal.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
Instale solo los módulos DIMM si se instala el procesador correspondiente.
●
Equilibre los módulos DIMM en los procesadores instalados.
●
Las ranuras DIMM blancas indican la primera ranura de un canal (Ch 1-A, Ch 2-B, Ch 3-C,
●
Ch 4-D).
No combine RDIMM y LRDIMM.
●
Cuando se instalan dos procesadores, se deben instalar los DIMM en orden secuencial
●
alfabético equilibrados entre los dos procesadores: P1-A, P2-A, P1-B, P2-B, P1-C, P2-C, etc.
ESES
Opciones de memoria
59
Publicidad
