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TABLA 3: Declaración del fabricante. Inmunidad electromagnética
El microFET® Pinch está diseñado para su uso en el entorno electromagnético especi-
ficado a continuación. El cliente o el usuario del microFET® Pinch deben asegurarse de
que se utilice en un entorno de este tipo.
Prueba de
Nivel de prueba
inmunidad
RF radiada
CEI 61000-4-3
NOTA 1: A 80 MHz y 800 MHz, se aplica el intervalo de frecuencia más alto.
NOTA 2: Estas pautas pueden no ser aplicables en todas las situaciones. La propagación
electromagnética se ve afectada por la absorción y la reflexión de estructuras, objetos
y personas.
IFU 05.ES.A ECO-0835
CEI 60601
conformidad
3 V/m
De 80 MHz a
2,5 GHz
(80 % AM,
1 kHz)
Nivel de
Entorno electromagnético.
Los equipos de comunicaciones de RF
portátiles y móviles no deben utilizar-
se más cerca de cualquier parte del
microFET® Pinch, incluidos los cables,
que la distancia de separación reco-
mendada calculada a partir de la ecua-
ción adecuada para la frecuencia del
transmisor.
Distancia de separación
recomendada
Para 80 MHz
���� = 1,17√����
a 800 MHz
Donde P es la potencia nominal máxi-
3 V/m
ma de salida del transmisor en vatios
(W) según el fabricante del transmisor
y d es la distancia de separación reco-
mendada en metros (m).
Las intensidades de campo de los
transmisores de RF fijos, determinadas
mediante un estudio electromagné-
tico del centro
al nivel de conformidad en cada inter-
valo de frecuencia
cirse interferencias en las proximi-
dades de equipos marcados con el
siguiente símbolo:
Orientación
Para 800 MHz
���� = 2,33√����
a 2,3 GHz
, deben ser inferiores
a
. Pueden produ-
b
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