3.5.4.2. Salidas todo o nada transistorizadas integrado
Generalidades
Tipo
Gama de tensión
Corriente de choque (máx.)
1 lógica (mín.)
0 lógica (máx.)
Corriente (máx.)
Corriente de fuga de salida (máx.)
Carga de lámpara (máx.)
Resistencia (lógica de contacto)
Protección contra la sobrecarga
Aislamiento (sitio a lógica)
Grupos de aislamiento
Retraso Conmutación (máx.)
desactivado a activado / activado a desactivado
Salidas simultáneamente a 1
Longitud de cable (máx.)
Blindado
No blindado
3.5.4.3. Salidas analógicas integrado
Generalidades
Tipo
Gama plena escala
Gama plena escala (palabra de datos)
Rango de rebasamiento
Rango de rebasamiento
Rango de desbordamiento
Rango de desbordamiento
Resolución
Impedance de salida
Aislamiento (sitio a lógica)
Precisión (25 °C / 0 a 55 °C)
Tiempo de establecimiento
Longitud de cable (meter)
3.5.5. Alimentación 24V continua
Alimentación con separación protegida contra cortocircuitos, sobrecargas y sobretensiones.
Tensión de salida
Tolerancia
Intensidad máxima
Potencia
Rendimiento
Indice de revisión : B - Marzo de 2019
(palabra de datos)
(palabra de datos)
24 VDC
± 1 %
3,2 A
76,8 W
88,5 %
15
Salida 24 V
Transistor de tecnología MOS (Modo N)
20,4 a 28,8 VCC
8 A para 100 ms
20 VCC a la corriente máxima
0,1 VCC con carga de 10 kΩ
0,5 A
10 µA
5 W
0,6 Ω max
no
500 V para 1 minuto
1
1/3 µs (Qa.0 a Qa.3)
50/200 µs
(todos los
demás)
Todas a 55°C horizontalmente, a 45°C en
vertical
500 m
150 m
Corriente
0 a 20 mA
0 a 27648
20,01 a 23,52 mA
27649 a 32511
32512 a 32767
10 bits
≤ 500 Ω max
Nada
3,0% / 3,5% de la plena escala
2 ms
100 m,
par trenzado blindado
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