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8024784/2019-11-19 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso
Resistencia a choque
4)
1)
Deben respetarse las resistencias de línea máximas admisibles.
2)
Por debajo de –25 °C, el cable que pertenece al dispositivo, incluido el conector de conexión correspon‐
diente, no debe montarse de forma que pueda moverse.
3)
Condiciones de comprobación por eje: 1 octava/minuto, amplitud: 0,35 mm, 20 barridos.
4)
Condiciones de comprobación por eje: 500 choques.
Datos técnicos de la unidad activa
Tabla 33: Datos técnicos de la unidad activa
Longitud de onda del emisor
Salidas conmutadas seguras (OSSD) 2 semiconductores PNP, a prueba de cortocircuitos
Tiempo de respuesta
Duración del estado OFF
Retardo de conexión
Estado ON, tensión de conmutación
HIGH (U
)
2)
eff
Estado OFF, tensión de conmutación
LOW
2) 3)
Capacidad de carga eléctrica de las
salidas conmutadas seguras (OSSD)
Corriente de fuga
Capacidad de carga
Inductancia de carga
Datos de impulso de prueba
Amplitud de impulso de prueba
Velocidad de impulso de prueba
Tiempo de discrepancia (desfase
temporal entre la conmutación de
OSSD2 y OSSD1)
Entradas
Tensión de entrada HIGH (activa)
Intensidad de entrada HIGH
Tensión de entrada LOW (inactiva)
Intensidad de entrada LOW
Entrada de control de contactor (EDM)
Contactores conectados
Tiempo de vuelta al reposo admisi‐
ble
Tiempo de reacción admisible
Entrada del pulsador de rearme (RES)
Tiempo de accionamiento del dispo‐
sitivo de mando
Mínimo
10 g, 16 ms (IEC 60068-2-27)
Mínimo
con supervisión de circuitos cruzados
100 ms
U
– 2,25 V
V
0 V
4)
3 s
–1
11 V
2)
6 mA
–3 V
2)
–2,5 mA
50 ms
I N S T R U C C I O N E S D E U S O | deTem4 A/P
DATOS TÉCNICOS
Típico
Máximo
Típico
Máximo
Próximo al infra‐
rrojo (NIR), invisi‐
ble
20 ms
2 × tiempo de
respuesta
24 V
V
S
0 V
2,0 V
500 mA respecti‐
vamente
2 mA respectiva‐
mente
2,2 µF
2,2 H
150 µs
300 µs
5 s
–1
10 s
–1
1 ms
24 V
30 V
10 mA
20 mA
0 V
5 V
0 mA
0,5 mA
300 ms
300 ms
60 s
13
,
1)
107
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