GEZE ECturn Inside Manual De Instrucciones página 10

Esquema de conexiones
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Sensor de seguridad de apertura y cierre
6.2.1 Controlar la apertura y el cierre
Ajustar parámetros:
X
à 13
(seguridad cerrar) a
s1
à 14
(seguridad abrir) a
s3
à 15
(ensayo) a
Te
Configuración de los módulos GC334 en el
à lado bisagra: DIP1 = ON
à lado contrario bisagra: DIP1 = OFF
4
GN
-
BN
60mA
+
YE
WH
PK
VT
BU
-
TEST
RD
+
1
Lado contrario bisagra (cerrar)
2
Lado bisagra (abrir)
3
Transmisión de la puerta en el montaje del marco
4
Segunda regleta de sensores; no es necesaria en "Controlar el cierre" o "Controlar la apertura"
5
Interfaz GC334
6.2.2 Controlar la apertura
à Sensor para control de la apertura de la puerta.
Montarlo en el lado de banda de la hoja de puerta.
X
Conexión del sensor GC334 como en "Abrir y cerrar", aunque no es necesaria la segunda regleta de sensores.
à En la activación del SIO durante la apertura, la puerta para.
à El ángulo de apertura para el ocultamiento de paredes de SIO se programa durante el proceso de aprendizaje
del control, en caso de que el sensor registre un obstáculo al abrir la puerta.
Ajustar parámetros:
X
à 13
(seguridad cerrar) a
s1
à 14
(seguridad abrir) a
s3
à 15
(ensayo) a
Te
6.2.3 Controlar el cierre
à Sensor para controlar el cierre de la puerta
Móntelo en el lado contrario bisagra de la hoja de puerta.
X
Conexión del sensor GC334 como en "Abrir y cerrar", aunque no es necesaria la segunda regleta de sensores.
à En la activación del SIS durante el cierre, la puerta invierte y abre de nuevo.
à El SIS es también parametrizable como sensor de control K, de manera que el accionamiento puede también
accionarse al estado cerrado por medio del SIS.
Ajustar parámetros:
X
à 13
(cerrar) a
s1
à 14
(seguridad abrir) a
s3
à 15
(ensayo) a
Te
10
para "SIS" o a
01
para "SIO".
01
para "Ensayo con GND".
02
o
oder
1
2
2
1
SIO1
13
1
4
10
SIS
11
1
4
3
10
para "Ningún SIS".
00
para "SIO".
01
para "Ensayo con GND".
02
para "SIS" o a
para "SIS y K".
01
02
para "Ningún SIO".
00
para "Ensayo con GND".
02
para "SIS y K".
02
4
-
SIO
60mA
+
GND
24VSENS
TST
SIS
-
GND
TEST
+
24VSENS
TST
ECturn Inside
o
oder
1
2
2
1
SIO
4
13
3
1
4
2
10
SIS
1
11
5
3
5
SIO
GND
24VSENS
TST
SIS

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