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Duplicado de memoria
El modo de duplicado de memoria proporciona redundancia de memoria completa a la vez que reduce la
capacidad de memoria total del sistema a la mitad. Los canales de memoria se agrupan en pares con cada
canal que recibe los mismos datos Si se produce un error, el controlador de memoria cambia de los DIMM
del canal principal a los DIMM del canal de copia de seguridad.
Consulte
la ThinkSystem SR950 Referencia de llenado de memoria
duplicado de memoria y las secuencias de llenado del módulo de memoria recomendadas.
Recambio de memoria
En el modo de recambio de memoria, una fila de memoria sirve como repuesto para otras filas en el mismo
canal por si fallan. La fila de recambio se mantiene en reversa y no se utiliza como memoria activa hasta que
se indica un error, con la capacidad reservada restada de la memoria total disponible en el sistema. Después
de sobrepasar el umbral de error en un sistema protegido por el recambio de memoria, el contenido una fila
de DIMM fallida se copia en la fila de repuesto. La fila fallida se coloca fuera de línea, y la fila de repuesto se
pone en línea para su uso como memoria activa en el lugar de la fila que falló. Ya que el proceso de
conmutación por error involucra copiar los contenidos de la memoria, el nivel de redundancia de memoria
que proporciona el recambio de memoria es menor que el que proporciona el duplicado de memoria: el
duplicado de memoria es la protección contra fallos preferida para aplicaciones críticas.
Consulte
la ThinkSystem SR950 Referencia de llenado de memoria
memoria y las secuencias de llenado del módulo de memoria recomendadas.
Configuración de DC Persistent Memory Module (DCPMM)
Siga las instrucciones de esta sección para configurar los DIMM de DCPMM y DRAM.
La capacidad DCPMM puede actuar como memoria persistente accesible para las aplicaciones o variables
del sistema. Según el porcentaje aproximado de capacidad DCPMM invertido en la memoria del sistema
volátil, los tres modos de funcionamiento siguientes están disponibles:
• Modo de aplicación directa (0 % de la capacidad DCPMM actúa como la memoria del sistema):
En este modo, los DCPMM funcionan como recursos de memoria independiente y persistente accesibles
directamente por aplicaciones específicas y los DIMM DRAM actúan como memoria del sistema.
La memoria volátil total del sistema que se muestra en este modo es la suma de la capacidad DIMM de
DRAM.
Notas:
– En el modo de aplicación directa, puede configurarse los DIMM DRAM que estén instalados en modo
de duplicación.
– En el caso que haya solo un DCPMM instalado para cada procesador, solo se admite el modo de
aplicación directa no intercalado.
• Modo de memoria mixta (1-99 % de la capacidad DCPMM actúa como la memoria del sistema):
En este modo, parte de la capacidad del DCPMM es accesible directamente a aplicaciones específicas
(Aplicación directa), mientras el resto actúa como memoria del sistema. La parte de Aplicación directa de
DCPMM se muestra como una memoria persistente, mientras el resto de las capacidades DCPMM se
muestran como memoria del sistema. Los DIMM de DRAM actúan como la memoria caché en este modo.
La memoria volátil total que se muestra en este modo es la capacidad DCPMM invertida en la memoria
volátil del sistema.
• Modo de memoria (100 % de la capacidad DCPMM actúa como la memoria del sistema):
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ThinkSystem SR950 Guía de configuración
para obtener los requisitos del modo de
para obtener los requisitos del recambio de
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