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Procesador
● Ocupe primero todos los conectores con pestañas de liberación blancas, seguidos de las pestañas de liberación negras.
● Se pueden combinar módulos de memoria de diferentes capacidades siempre que se sigan otras reglas de ocupación de memoria.
● Una configuración de memoria desequilibrada o impar da lugar a una pérdida de rendimiento y es posible que el sistema no identifique
los módulos de memoria que se instalan, por lo que siempre se debe ocupar los canales de memoria de manera idéntica con módulos
DIMM iguales para obtener el mejor rendimiento.
● Las configuraciones de RDIMM/LRDIMM compatibles son de 4, 8, 16 o 32 DIMM por sistema.
NOTA:
En vSAN ESA del modelo E660N, la configuración mínima compatible de DIMM para la capacidad de RAM es de 128 GB, y
esto se aplica a los sistemas con procesadores simples y dobles.
Pautas de instalación de la memoria persistente Intel serie 200 (BPS)
Las siguientes son las pautas recomendadas para instalar módulos de memoria persistente Intel serie 200 (BPS):
● Cada sistema es compatible con un módulo de memoria persistente Intel serie 200 (BPS) como máximo por canal.
NOTA:
Si se combinan dos capacidades diferentes de memoria persistente Intel serie 200, se muestra una advertencia de F1/F2,
ya que la configuración no es soportada.
● La memoria persistente Intel serie 200 se puede combinar con RDIMM, LRDIMM y LRDIMM 3DS.
● No se admite la combinación de tipos de DIMM DDR4 (RDIMM, LRDIMM y LRDIMM 3DS), dentro de canales, para la controladora de
memoria integrada (iMC) o entre conectores.
● No se admite la combinación de modos operativos de la memoria persistente Intel serie 200 (modo App Direct y modo de memoria).
● Si solo se ocupa un DIMM en un canal, el DIMM siempre se debe instalar en la primera ranura de ese canal (ranura blanca).
● Si se ocupan una memoria persistente Intel serie 200 y un DIMM DDR4 en el mismo canal, instale siempre la memoria persistente Intel
serie 200 en la segunda ranura (ranura negra).
● Si la memoria persistente Intel serie 200 está configurada en modo de memoria, la relación de capacidad recomendada de DDR4 a
memoria persistente Intel serie 200 es de 1:4 a 1:16 por iMC.
● La memoria persistente Intel serie 200 no se puede combinar con otras capacidades de memoria persistente Intel serie 200 ni con
NVDIMM.
● No se permite memoria persistente Intel serie 200 de diferentes capacidades.
● El arranque de VMware ESXi tarda más tiempo cuando se configura una mayor capacidad de memoria persistente Intel serie 200 en el
modo App Direct (AP). Este comportamiento se conoce como Limpieza del rango de direcciones (ARS). Este es un comportamiento
esperado, ya que la ARS en segundo plano se encuentra en los conjuntos de intercalación y se debe completar antes de montar el
almacén de datos pMem en ESXi.
● En el modo App Direct, los conectores se pueden ocupar de forma simétrica o asimétrica.
● En el modo de memoria (MM), los conectores se pueden ocupar simétricamente.
● El modo de memoria no es soportado por las configuraciones 6+1, 8+1 y 12+2, independientemente de la relación de capacidad de DDR
a memoria persistente Intel serie 200.
● En el entorno VMware ESXi, si se cambia el objetivo de BPS entre el modo App Direct y el modo de memoria, se recomienda limpiar la
memoria persistente Intel serie 200 antes de crear un nuevo objetivo.
● Instale la memoria persistente Intel serie 200 en la ranura DIMM 1, a menos que sea el único DIMM en ese canal y, a continuación,
ocupe la ranura DIMM 0.
Para obtener más información sobre las configuraciones soportadas de memoria persistente Intel serie 200 (BPS), consulte la Guía
del usuario de la memoria persistente Intel serie 200 (BPS) de Dell en
server_int_poweredge.
NOTA:
Están disponibles configuraciones limitadas para servidores de dos conectores en los que se ocupa un solo procesador.
En la siguiente tabla, se describen los canales de memoria internos de las configuraciones de BPS enumeradas:
20
Reemplazo de componentes de hardware
Configuración
Ocupación de memoria
https://www.dell.com/support/home/products/server_int/
Información sobre la
ocupación de memoria
DIMM en el caso de dos
procesadores.
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