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Para obtener la información más reciente sobre la configuración de la memoria, consulte las
QuickSpecs (Especificaciones rápidas) del producto en la página web de HP
qs).
Configuración de memoria ECC avanzada
ECC avanzado es el modo predeterminado de protección de memoria para este servidor. La
memoria ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar los errores
de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de varios bits a través de ECC estándar, el
error se indica en el servidor y hace que éste se detenga.
El modo ECC avanzado protege el servidor contra algunos errores de memoria de varios bits. La
memoria ECC avanzada puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los
errores de memoria de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo
dispositivo DRAM del DIMM.
ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir
determinado errores de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el
servidor. Utilizando tecnología avanzada de detección de errores en memoria de HP, el servidor
proporciona una notificación cuando el DIMM se está degradando y la probabilidad de que tenga
errores de memoria incorregibles es mayor.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones.
Si se producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra
manera, provocarían un periodo de inactividad en el servidor. La creación de réplicas se lleva a cabo
en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en un solo
dispositivo DRAM en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de los módulos DIMM
de cada canal debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no está ocupado. Puesto que no es
posible ocupar el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de
memoria es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC
Avanzado es ligeramente superior.
ESES
(http://www.hp.com/go/
Opciones de memoria
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