conjunto de chips válida. A continuación se indican las pautas recomendadas para la instalación de los
módulos de memoria:
•
Pueden combinarse DIMM basados en DRAM x4 y x8. Para obtener más información, consulte la
sección sobre pautas específicas de los modos.
•
En cada canal se pueden instalar hasta 2 RDIMM de banco simple o dual.
•
Introduzca los módulos DIMM en los sockets solo si se instala un procesador. En sistemas de un solo
procesador, están disponibles los sockets de A1 a A8. En sistemas de doble procesador, están
disponibles los sockets de A1 a A8 y de B1 a B8.
•
Introduzca primero todos los sockets con palancas de liberación blancas y, a continuación, todos los
sockets con palancas de liberación negras.
•
Al combinar módulos de memoria con distintas capacidades, en primer lugar ocupe ordenadamente
los sockets con los módulos de memoria de mayor capacidad. Por ejemplo, si se desea combinar
DIMM de 4 GB y 8 GB, introduzca los DIMM de 8 GB en los sockets con lengüetas de liberación
blancas y los DIMM de 4 GB en los sockets con lengüetas de liberación negras.
•
En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador
debe ser idéntica en las ocho primeras ranuras. Por ejemplo, si utiliza el socket A1 para el procesador
1, utilice el socket B1 para el procesador 2, y así sucesivamente.
•
Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización
de la memoria (por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 4 GB y 8 GB).
•
No se admite la mezcla de más de dos capacidades DIMM en un sistema.
•
Rellene 2 módulos DIMM por procesador (1 DIMM por canal) cada vez para maximizar el rendimiento.
Enlaces relacionados
Pautas específicas de los modos
Pautas específicas de los modos
Cada procesador tiene asignados cuatro canales de memoria. Las configuraciones permitidas dependen
del modo de memoria seleccionado.
NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin
embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4
conservan Single Device Data Correction (SDDC) (Corrección de datos de dispositivo único [SDDC])
en el modo optimizado (canal independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8
requieren de ECC avanzada para lograr SDDC.
Código de corrección de errores avanzado (lockstep)
El modo del código de corrección de errores avanzado (ECC) amplía SDDC de módulos DIMM basados
en módulos DRAM x4 a DRAM x4 y x8. Esta ampliación supone protección ante errores de chip DRAM
sencillos durante el funcionamiento normal.
Las pautas de instalación para los módulos de memoria son las siguientes:
•
Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y
tecnología.
•
Los módulos DIMM instalados en sockets de memoria con palancas de liberación blancas deben ser
idénticos. La misma regla se aplica a los sockets con pestañas de liberación negras. Se garantiza así
que se instalen módulos DIMM idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4,
A5 con A6 y así sucesivamente.
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite Single Device Data Correction (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) sólo
para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4. No impone requisitos específicos en
cuanto a la ocupación de ranuras.
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