Podemos asumir que V
V
V
−
BB
BE
I
=
=
B
R
B
I
I
50
. 0
=
β
=
⋅
C
B
V
V
I
=
−
⋅
CE
CC
C
Observación:
Si por ejemplo R
es igual a 4KΩ entonces:
C
V
12
. 5
75
m
=
−
CE
V
no puede ser negativo. Esto significa que el transistor se encuentra en la región de saturación e
CE
I
no es igual a
β ⋅
I
C
En una región de saturación:
V
= 0.2V
CE
V
V
−
CC
CE
I
⇑
=
C
R
C
2.1.5
Circuito de polarización fija
En el circuito anterior, utilizamos dos fuentes de voltaje, lo que es inusual en el circuito de
transistor. En lugar de esto, podemos conectar R
R
B
= 0.7V para silicio y 0.1V para germanio.
BE
3
0
7 .
−
. 0
0575
=
40
K
0575
. 2
875
mA
=
R
12
. 2
875
m
=
−
C
4
K
11
V
⋅
=
−
.
B
sat
12
0.2
−
=
=
4K
V
CC
R
I
B
V
BE
24
mA
2
K
. 6
25
V
⋅
=
2.95mA
a V
y utilizar V
B
CC
C
I
C
R
B
V
CE
Figura 2-12
como V
.
CC
BB
V
CC
I
E
I
B
I
C
R
C
SES