SES TPS-3331 Manual De Instrucciones página 83

Cuando usamos una polarización del MOSFET de agotamiento/mejoramiento podemos entregar en
R , V =0V e I =I
1 GS D DSS
Usamos resistores de resistencia alta para la polarización del MOSFET para no estropear su alta
impedancia de entrada (descrita en el capítulo siguiente).
Podemos agregar un resistor R
R
1
R
2
I 0
=
G
V
DD
V V
= =
GG R 1
R
+
1
R R
⋅
R 1 2
=
G
R R
+
1 2
V I R
= ⋅ +
GG G G
I I
=
D S
V V I
= − ⋅
GS GG S
V
⎛
I I 1 GS
⎜ ⎜
= −
D DSS
V
⎝
PO
⎛
I I 1
⎜ ⎜
⇒ = −
D DSS
⎝
que no es pequeño en este tipo de transistor.
para la estabilidad del punto de operación.
S
V
DD
R
D
I
D
I
S
R
S
R
⋅
2
R
2
V I R V
+ ⋅ =
GS S S
R V I R
= − ⋅
S GG D
2
⎞
⎟ ⎟
⎠
2
V I R
⎞
− ⋅
GG D S
⎟ ⎟
V
⎠
PO
67
â
V
GG
Figura 2-55
I R
+ ⋅
GS S S
S
V
R
I
G
G
DD
R
D
I
D
I
S
R
S
SES