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Esta puerta aislada crea dos problemas. Uno es que actúa como condensador y disminuye la
velocidad de los transistores del componente.
El otro problema es que la puerta acumula cargas estáticas eléctricas cuando está abierta. Ello
significa que antes de poner el componente en un circuito, su puerta puede tener un muy alto voltaje
que la rompa y dañe el componente.
Esta es la razón por la cual el MOSFET se embala en paquetes de materiales antiestáticos.
La mayoría de los componentes MOSFET de hoy son de puerta protegida por diodos.
2.3.4
La característica de transición
La relación entre I
D
siguiente.
V
PO
JFET
El FET no tiene corriente I
En el transistor bipolar, necesitamos solamente un parámetro (β) para la relación entre I
necesitamos dos parámetros (I
V
⎛
GS
I
I
1
⎜ ⎜
=
−
D
DSS
V
⎝
PO
Como podemos ver es la ecuación de una parábola.
I
es el valor de I
DSS
D
V
es el valor de V
PO
Generalmente V
es negativo.
PO
No hay conexión entre V
(la corriente de Dren) y V
I
D
I
DSS
I
DSS
V
V
PO
GS
MOSFET Enhancement
. (I
=0) así I
G
G
e V
) para la relación entre I
DSS
PO
2
⎞
⎟ ⎟
⎠
cuando V
=0
GS
para I
=0. Se llama V
GS
D
(V de Perforación), que relaciona a V
P
65
se describe en la característica de transición
GS
I
D
V
Figura 2-52
=I
siempre.
D
S
APAGADO.
GS
I
I
DSS
V
PO
GS
MOSFET
Depletion/Enhancement
y V
.
D
GS
y V
(que es V
DS
PO
D
V
GS
e I
. Aquí
C
B
APAGADO).
GS
SES
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