Tabla De Contenido - SES TPS-3331 Manual De Instrucciones

Contenido
Prefacio ........................................................................................................................................ IV
Capítulo 1 - Diodos ........................................................................................................................ 1
Experimento 1.1 - Diodo estabilizado por cristal piezoeléctrico ............................................... 1
1.1.1 Dispositivos de estado sólido ............................................................................................ 1
1.1.2 Unión P-N ......................................................................................................................... 2
1.1.3 Circuitos de diodos ........................................................................................................... 4
1.1.4 Polarización directa ........................................................................................................... 5
1.1.5 Polarización inversa .......................................................................................................... 5
1.1.6 Preguntas ........................................................................................................................... 6
Experimento 1.2 - Diodo Zener .................................................................................................. 11
1.2.1 Preguntas ......................................................................................................................... 14
Capítulo 2 - El transistor ............................................................................................................ 17
Experimento 2.1 - Características del transistor bipolar ........................................................ 17
2.1.1 El transistor bipolar ......................................................................................................... 17
2.1.2 La característica de transición ......................................................................................... 19
2.1.3 Un transistor plano de silicio .......................................................................................... 21
2.1.4 Línea de carga y punto operativo .................................................................................... 22
2.1.5 Circuito de polarización fija ........................................................................................... 24
2.1.6 Circuito de auto polarización .......................................................................................... 26
2.1.7 Preguntas ......................................................................................................................... 31
Experimento 2.2 - El amplificador de transistor bipolar ........................................................ 35
2.2.1 Amplificador lineal ......................................................................................................... 35
2.2.2 Parámetros del transistor bipolar h ................................................................................. 36
2.2.3 Amplificador de emisor común ...................................................................................... 38
2.2.4 Amplificador de seguidor de emisor ............................................................................... 46
2.2.5 Amplificador de base común .......................................................................................... 48
2.2.6 Cómo medir parámetros de amplificador ....................................................................... 49
Experimento 2.3 - Características del Transistor de Efecto de Campo ................................. 57
2.3.1 Transistor de efecto de campo ........................................................................................ 57
2.3.2 JFET - Transistor de Efecto de Campo de Juntura ........................................................ 58
2.3.3 MOSFET ......................................................................................................................... 61
2.3.4 La característica de transición ......................................................................................... 65
2.3.5 Polarización del MOSFET de CC ................................................................................... 66
Experimento 2.4 - El Amplificador de Transistor FET ........................................................... 72
2.4.1 El amplificador FET ....................................................................................................... 72
2.4.2 Amplificador de fuente común ....................................................................................... 74
2.4.3 Amplificador seguidor de fuente .................................................................................... 76
I
SES