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Tabla 21. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para un procesador con módulos de
memoria con distinta capacidad
Procesador
Número de ranura del módulo
de memoria
Número total de
2
módulos de
4
memoria
Con dos procesadores y módulos de memoria con la misma capacidad
En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para dos
procesadores y módulos de memoria con la misma capacidad.
Tabla 22. Secuencia de llenado del módulo de memoria de modo independiente para dos procesadores con módulos de
memoria con la misma capacidad
Procesador
Número de
ranura del
1
módulo de
memoria
2
Número
4
total de
8*
módulos
de
12
1
memoria
16*†
1
Nota:
*La función de organización en clústeres subNUMA (SNC2) solo se puede habilitar cuando se rellenan DIMM en esta
secuencia especificada. La función SNC2 se puede habilitar mediante UEFI.
†Configuraciones de DIMM que admiten Software Guard Extensions (SGX), consulte "Habilitar Software Guard
Extensions (SGX)" en la página 97 para habilitar esta característica.
Con dos procesadores y módulos de memoria con distinta capacidad
En la tabla siguiente se muestra la secuencia de llenado de memoria de modo independiente para dos
procesadores y módulos de memoria con distinta capacidad.
Atención: Los números de módulos de memoria se dividen en dos grupos, cada uno de los cuales se debe
llenar con módulos de memoria de la misma capacidad:
• Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 2, 4, 5, 7, 10, 12, 13 y 15.
• Número de ranura del grupo de módulo de memoria: 1, 3, 6, 8, 9, 11, 14 y 16.
Consulte la sección Tabla 19 "La información de canal y ranura de DIMM alrededor de un procesador" en
la página 37 para obtener más información.
40
Guía de configuración del nodo de cálculo ThinkSystem SN550 V2
1
2
2
2
Procesador 1
3
6
2
4
5
2
2
4
2
4
5
2
4
5
3
6
2
4
5
Procesador 1
3
4
5
3
3
8
9
11
7
10
7
10
7
8
9
10
8
9
11
7
10
6
7
6
7
Procesador 2
14
12
13
15
15
13
15
12
13
15
12
13
15
14
12
13
15
8
16
16
16
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