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Elemento
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Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones,
configuraciones y compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas)
del producto en la página web de Hewlett Packard Enterprise (http://www.hpe.com/info/qs).
Configuraciones de memoria
Para optimizar la disponibilidad del blade de servidor, este admite los siguientes modos AMP:
Memoria ECC avanzada: Proporciona corrección de errores de hasta 4 bits. Este modo es la
●
opción predeterminada para el blade de servidor.
Memoria auxiliar en línea: Proporciona protección contra DIMM estropeadas o deterioradas.
●
Se aparta una cantidad de memoria determinada como memoria auxiliar; cuando el sistema
detecta un DIMM deteriorado, se cambia automáticamente a la memoria auxiliar (de reserva).
Esto permite que los DIMM que tienen una probabilidad más alta de recibir un error de memoria
incorregible (que causaría un tiempo de inactividad del sistema) dejen de funcionar.
Duplicación de memoria: Proporciona la máxima protección frente a fallos de los módulos
●
DIMM. Los errores que no es posible corregir en un canal se corrigen en el canal duplicado.
Las opciones de protección de memoria avanzada se configuran en la configuración de la
plataforma/BIOS (RBSU). Si el modo AMP solicitado no es compatible con la configuración de la
memoria DIMM instalada, el blade de servidor arrancará en el modo ECC avanzado. Para obtener
más información, consulte la
HPE ProLiant Gen9 en la página web de Hewlett Packard Enterprise
ProLiantUEFI/docs).
Configuración de memoria ECC avanzada
La memoria ECC avanzada es el modo predeterminado de protección de memoria para este blade
de servidor. La memoria ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar
los errores de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de
ECC estándar, el error se indica en el blade de servidor y hace que este se detenga.
La memoria ECC avanzada protege el blade de servidor de algunos errores de memoria de múltiples
bits. La memoria ECC avanzada puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como
los errores de memoria de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo
dispositivo DRAM del DIMM.
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Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware
Descripción
Ancho de datos de la DRAM
Generación de memoria
Velocidad de memoria máxima
Latencia CAS
Tipo de DIMM
Guía de usuario de las utilidades del sistema HPE UEFI para servidores
Definición
4R = cuatro rangos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
DDR4
2133 MT/s
2400 MT/s
P = 15
T = 17
R = RDIMM (registrado)
L = LRDIMM (carga reducida)
(http://www.hpe.com/info/
ESES
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