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que se instalen módulos DIMM idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4,
A5 con A6 y así sucesivamente.
NOTA: No se admite ECC avanzada con duplicación.
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite SDDC solo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4. Este
modo no impone requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar habilitada en System Setup
(Configuración del sistema).
En este modo, se reserva para sustitución un banco por canal. Si se detectan errores persistentes y
reparables en un banco, sus datos se copian en el banco de sustitución y se deshabilita el banco en el
que se producen los errores.
Si la sustitución de memoria está activada, la memoria del sistema disponible para el sistema operativo se
reduce a un banco por canal. Por ejemplo, en una configuración de dos procesadores con 16 módulos
de memoria duales de 4 GB, la memoria del sistema disponible es: 3/4 (bancos/canal) x 16 (módulos de
memoria) x 4 GB = 48 GB, en lugar de 16 (módulos de memoria) x 4 GB = 64 GB.
NOTA: La sustitución de memoria no ofrece protección frente a errores irreparables de varios bits.
NOTA: Los modos Advanced ECC/Locstep (ECC avanzada/Locstep) y Optimizer (Optimización)
admiten la característica de sustitución de memoria.
Tareas relacionadas
Acceso a System Setup (Configuración del sistema)
Configuraciones de memoria de muestra
Las tablas siguientes muestran ejemplos de configuraciones de memoria para sistemas de uno y dos
procesadores, que respetan las pautas de memoria adecuadas según se detallan en esta sección.
NOTA: 1R y 2R indican en las siguientes tablas módulos DIMM simples y duales respectivamente.
Tabla 14. Configuraciones de memoria: un solo procesador
Capacidad
Tamaño
del sistema
de
(en GB)
módulo
DIMM (en
GB)
8
8
16
8
16
32
8
16
Número
Caras,
de
organización y
módulos
frecuencia de los
DIMM
módulos DIMM
2R, x8, 2133 MT/s
1
2R, x8, 2133 MT/s
2
2R, x4, 2133 MT/s
1
2R, x8, 2133 MT/s
4
2R, x4, 2133 MT/s
2
Ocupación de las ranuras
de módulos DIMM
A1
A1, A2
A1
A1, A2, A3, A4
A1, A2
53
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