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9.0 Anexo
9.1 Garantía
General Monitors garantiza que el S4000TH permanecerá exento de defectos de materiales y
de mano de obra en condiciones de uso y de servicio normales durante un período de dos
años a partir de la fecha de envío.
General Monitors reparará o sustituirá, sin cargo alguno, cualquier equipo defectuoso durante
el período de garantía. La estipulación completa de la naturaleza y de la responsabilidad del
equipo defectuoso o dañado se realizará por personal de General Monitors.
Los equipos defectuosos o dañados deben enviarse a la planta de General Monitors o al
representante que efectuó el envío original. En todos los casos, esta garantía está limitada al
coste del equipo suministrado por General Monitors. El cliente asumirá toda responsabilidad
derivada del uso indebido del presente equipo por parte de sus empleados o de otro personal.
Todas las garantías dependen del uso adecuado en la aplicación para la que el producto está
concebido y no cubren productos modificados o reparados sin el consentimiento de General
Monitors o que hayan sido objeto de una instalación o una aplicación negligentes, accidentales
o inadecuadas o en los que las marcas de identificación originales hayan sido eliminadas o
alteradas.
Exceptuando las condiciones de garantía anteriormente especificadas, General Monitors
declina toda responsabilidad relativa a los productos vendidos, incluidas todas las garantías
implícitas de comerciabilidad e idoneidad. Las garantías aquí estipuladas sustituyen a todas
las obligaciones o responsabilidades por parte de General Monitors por daños, incluidos, que
no limitados a daños derivados de o en combinación con el rendimiento del producto.
9.2 Principio de funcionamiento
General Monitors utiliza una película propia de semiconductor de óxido metálico (MOS) en el
sensor para detectar el gas de sulfuro de hidrógeno (H
una capa entre dos electrodos. Cuando no hay gas presente, la resistencia medida entre estos
dos electrodos es muy alta (en el rango de megaohmios). A medida que se absorbe H
película, la resistencia entre los dos electrodos desciende (al rango de kiloohmios). Este
descenso de la resistencia es logarítmicamente proporcional a la concentración de H
existente.
El cambio en la resistencia se convierte a un cambio en la tensión, que se amplifica por el
circuito de entrada. Esta señal amplificada se envía a un convertidor analógico-digital (A/D), se
convierte en una señal digital y se envía al microprocesador para ser procesada. El proceso de
absorción de H
S en la película de MOS resulta más efectivo a altas temperaturas. En el
2
extremo exterior de la capa se encuentra un anillo calentador. La temperatura de este anillo
calentador se mide con un termistor y se mantiene constante por un circuito ubicado en el
interior del cuerpo del sensor.
A medida que se absorbe H
electrodo al otro. Esto conlleva un descenso de la resistencia. El proceso de absorción de H
en la película de MOS es inversamente proporcional. A medida que disminuye la
concentración de H
S (desorbción de H
2
S en la película, los electrones se mueven más libremente de un
2
S), la resistencia entre los electrodos aumenta.
2
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Modelo S4000TH
S). La película de MOS se coloca sobre
2
S en la
2
S
2
S
2
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