NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin
embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4
conservan SDDC (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) en el modo optimizado (canal
independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8 requieren de ECC avanzada para
lograr SDDC.
Las siguientes secciones proporcionan pautas adicionales sobre la ocupación de ranuras en cada modo:
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite Single Device Data Correction (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) sólo
para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4. No impone requisitos específicos en
cuanto a la ocupación de ranuras.
Configuraciones de memoria de muestra
Las tablas siguientes muestran ejemplos de configuraciones de memoria para sistemas de uno y dos
procesadores, que respetan las pautas de memoria adecuadas según se detallan en esta sección.
NOTA: 1R y 2R indican en las siguientes tablas módulos DIMM simples y duales respectivamente.
Tabla 12. Configuraciones de memoria: un solo procesador
Capacidad del
Tamaño de
sistema (en
módulo
GB)
DIMM (en
GB)
64
16
128
16
192
32
Tabla 13. Configuraciones de memoria: dos procesadores
Capacidad
Tamaño de
del sistema
módulo DIMM
(en GB)
(en GB)
64
16
128
16
192
16
384
32
56
Número de
Caras, organización y
módulos
frecuencia de los
DIMM
módulos DIMM
2R, x8, 2133 MT/s,
4
2R, x4, 2133 MT/s,
8
RDIMM, 2R, x4, 2133
6
MT/s
Número de
Caras, organización y
módulos
frecuencia de los
DIMM
módulos DIMM
2R, x8, 2133 MT/s,
4
2R, x4, 2133 MT/s,
8
2R, x4, 2133 MT/s,
12
12
RDIMM, 2R, x4, 2133
MT/s
Ocupación de las ranuras de
módulos DIMM
A1, A2, A3, A4
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8
A1, A2, A3, A4, A5, A6
Ocupación de las ranuras de
módulos DIMM
A1, A2, B1, B2
A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8,
B1, B2, B3, B4
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8,
B1, B2, B3, B4