Pautas Generales Para La Instalación De Módulos De Memoria - Dell PowerEdge R730 Manual Del Propietário

Tabla 35. Canales de la memoria
Procesado Canal 0
r
Procesador Ranuras A1, A5 y A9
1
Procesador Ranuras B1, B5 y B9
2
La tabla siguiente muestra las frecuencias de funcionamiento y las distribuciones de memoria para las configuraciones admitidas:
Tabla 36. Ocupación de la memoria
Tipo de Módulo DIMM
DIMM distribuido/canal
RDIMM 1
2
3
LRDIMM 1
2
3
Identifier
Version
Status
Pautas generales para la instalación de módulos de memoria
NOTA: Las configuraciones de memoria que no cumplan estas pautas pueden impedir que el sistema se inicie, o hacer que deje de
responder durante la configuración de la memoria o funcione con memoria reducida.
El sistema es compatible con la configuración de memoria flexible, lo que permite configurar y ejecutar el sistema en cualquier
configuración de arquitectura de chipset válida. A continuación se indican las pautas recomendadas para la instalación de los módulos
de memoria:
● No se pueden combinar módulos RDIMM y LRDIMM.
● Pueden combinarse módulos x4 y x8 basados en DRAM. Para obtener más información, consulte la sección de reglas específicas de
cada modo.
● En cada canal se pueden instalar hasta 3 RDIMM de banco simple o dual.
● Se pueden instalar hasta 3 LRDIMM independientemente de la cantidad de bancos.
● Si se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, funcionarán a la velocidad del módulo más lento o a una velocidad
inferior, en función de la configuración DIMM del sistema.
● Ocupe los sockets de módulos de memoria únicamente si instala un procesador. En sistemas de un solo procesador, están disponibles
los sockets de A1 a A12. En sistemas de doble procesador, están disponibles los sockets de A1 a A12 y de B1 a B12.
● Rellene primero todos los sockets con lengüetas de liberación blancas, luego los que tienen las lengüetas negras y, por último, los que
tienen lengüetas de liberación verdes.
● Al combinar módulos de memoria con distintas capacidades, ocupe primero y de forma ordenada los sockets con los módulos de
memoria de mayor capacidad. Por ejemplo, si desea combinar módulos de memoria de 4 GB y 8 GB, introduzca los módulos de
memoria de 8 GB en los sockets con lengüetas de liberación blancas y los módulos de memoria de 4 GB en los sockets con lengüetas
de liberación negras.
● En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria de cada procesador debe ser idéntica. Por ejemplo, si utiliza
el conector A1 para el procesador 1, utilice el conector B1 para el procesador 2, y así sucesivamente.
● Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización de la memoria (por ejemplo, se
pueden combinar módulos de memoria de 4 GB y 8 GB).
● No se admite la mezcla de más de dos capacidades de módulos de memoria en un sistema.
● Rellene cuatro módulos de memoria por procesador (un DIMM por canal) simultáneamente para maximizar el rendimiento.
Canal 1
Ranuras A2, A6 y A10
Ranuras B2, B6 y B10
Voltaje
1,2 V
1,2 V
GUID-770A902D-9E4F-440E-A77D-B6ABC3308396
9
Translation Validated
Canal 2
Ranuras A3, A7 y A11
Ranuras B3, B7 y B11
Frecuencia de
funcionamiento (en
MT/s)
2400, 2133, 1866
2400, 2133, 1866
1 866
2400, 2133, 1866
2400, 2133, 1866
2133, 1866
Instalación y extracción de los componentes del sistema
Canal 3
Ranuras A4, A8 y A12
Ranuras B4, B8 y B12
Rango/canal DIMM máximo
Rango único o dual
Rango único o dual
Rango único o dual
Rango cuádruple
Rango cuádruple
Rango cuádruple
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