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Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria.
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo
DIMM cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de
memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango
único de 2 GB, un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite
tres canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal
1
2
3
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican
el orden de ocupación. Los mensajes ROM informan sobre los números de ranura durante el
arranque y en los informes de error. Para obtener más información, consulte "Ubicaciones de
las ranuras DIMM"
Modos de protección de memoria
Para optimizar la disponibilidad del servidor, éste admite los siguientes modos AMP:
ECC avanzado: proporciona corrección de errores de hasta 4 bits y un rendimiento superior
al del modo Lockstep (sincronía). Este modo es la opción predeterminada para el servidor.
Memoria auxiliar en línea: proporciona protección contra módulos DIMM estropeados o
deteriorados. Se aparta una cantidad de memoria determinada como memoria auxiliar;
cuando el sistema detecta un DIMM deteriorado, se cambia automáticamente a la memoria
auxiliar (de reserva). Esto permite que dejen de funcionar los DIMM que tienen una
probabilidad más alta de recibir un error de memoria imposible de corregir (que provoca un
tiempo de inactividad del sistema).
El servidor también puede funcionar en el modo de canal independiente o en el modo de canal
combinado (modo de sincronía). Cuando se usa el modo de sincronía, mejora la fiabilidad de
funcionamiento de una de estas dos formas:
Si se ejecuta con módulos UDIMM (creados con dispositivos DRAM x8), el sistema puede
sobrevivir a un fallo completo de la DRAM (SDDC). En el modo de canal independiente,
este fallo supondría un error sin solución.
Si se ejecuta con módulos RDIMM (creados con dispositivos DRAM x4), el sistema puede
sobrevivir a un fallo completo de dos dispositivos DRAM (DDDC). Si se ejecuta en modo
70
Instalación de opciones de hardware
Orden de ocupación
A
D
B
E
C
F
(página
18).
Número de ranura
1
2
3
4
5
6
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