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Elemento
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Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones,
configuraciones y compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas)
del producto en la página web de Hewlett Packard Enterprise (http://www.hpe.com/info/qs).
Configuraciones de memoria
Para optimizar la disponibilidad del servidor, este admite los siguientes modos AMP:
ECC avanzado
Proporciona hasta una corrección de errores de hasta 4 bits y un rendimiento mejorado para el modo
de sincronía. Este modo es la opción predeterminada para el servidor.
Memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones.
Si se producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Réplica de memoria
Los errores que no son corregidos por ECC o SDDC no pueden ser corregidos por la memoria
auxiliar en línea. La réplica de memoria ofrece la mayor protección contra un fallo de memoria más
allá del ECC, SDDC y la memoria auxiliar en línea, ya que ofrece una redundancia añadida en el
subsistema de memoria. Una vez detectado un error de memoria incorregible de una memoria DIMM
de un cartucho de memoria, el procesador evita la caída del sistema leyendo la réplica de la memoria
DIMM. En este caso, la rutina de gestión del sistema desactiva el DIMM averiado. La lectura de
escritura de la memoria únicamente se realiza en las réplicas de DIMM.
ESES
Descripción
Rango
Ancho de datos de la DRAM
Generación de memoria
Velocidad de memoria máxima
Latencia CAS
Tipo de DIMM
Definición
1R = rango único
2R = rango doble
4R = cuatro rangos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
DDR4
2133 MT/s
2400 MT/s
P = 15
T = 17
R = RDIMM (registrado)
L = LRDIMM (carga reducida)
Opciones de memoria
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