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contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra
manera, provocarían un periodo de inactividad en el servidor. La creación de réplicas se lleva a cabo
en el nivel de canal.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
Instale solo los módulos DIMM si se instala el procesador correspondiente.
●
Cuando se hayan instalado dos procesadores, equilibre los módulos DIMM entre los dos
●
procesadores.
Las ranuras blancas de DIMM indican la primera ranura de un canal
●
(C 1-A, C 2-B, C 3-C, C 4-D).
No combine RDIMM y LRDIMM.
●
Cuando se instala un procesador, se deben instalar los DIMM en orden secuencial alfabético:
●
A, B, C, D, E, F, etc.
Cuando se instalan dos procesadores, se deben instalar los DIMM en orden secuencial
●
alfabético equilibrados entre los dos procesadores: P1-A, P2-A, P1-B, P2-B, P1-C, P2-C, etc.
Para la sustitución de memoria auxiliar DIMM, instale los DIMM por número de ranura siguiendo
●
las instrucciones del software del sistema.
Para obtener más información acerca de la memoria del servidor, consulte la página web de
Hewlett Packard Enterprise (http://www.hpe.com/info/memory).
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal)
1, 2
1, 2
Directrices de ocupación de memoria ECC avanzada
Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de ranuras DIMM
●
generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página
Es posible instalar los módulos DIMM de forma individual.
●
ESES
Rango
Único o doble
Cuádruple
Velocidad compatible (MT/s)
2133
2133
(Directrices
25).
Opciones de memoria
25
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