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Tecnología y componentes
DDR4
La memoria DDR4 (tasa de datos doble de cuarta generación) es una sucesora de mayor velocidad de las tecnologías DDR2 y DDR3 y
permite hasta 512 GB de capacidad, en comparación con la capacidad máxima de la DDR3 de 128 GB por DIMM. La memoria de acceso
aleatorio dinámica sincrónica DDR4 se ajusta de manera diferente que la SDRAM y la DDR para evitar que el usuario instale el tipo de
memoria erróneo en el sistema.
La DDR4 necesita un 20 por ciento menos o solo 1.2 V, en comparación con la DDR3, que necesita 1.5 V de alimentación eléctrica para
funcionar. La DDR4 también es compatible con un nuevo modo de apagado profundo, que permite que el dispositivo host pase a modo de
espera sin necesidad de actualizar la memoria. Se espera que el modo de apagado profundo reduzca el consumo de energía en espera de
un 40 a un 50 por ciento.
Detalles de DDR4
Hay diferencias sutiles entre los módulos de memoria DDR3 y DDR4, como se indica a continuación.
Diferencia entre muescas de posicionamiento
La muesca de posicionamiento en un módulo DDR4 se encuentra en una ubicación distinta de la muesca de posicionamiento en un módulo
DDR3. Ambas muescas se encuentran en el borde de inserción, pero la ubicación de la muesca en la DDR4 es ligeramente diferente, para
evitar que el módulo se instale en una plataforma o placa incompatible.
Ilustración 1. Diferencia entre muescas
Aumento del espesor
Los módulos DDR4 son un poco más gruesos que los DDR3, para dar cabida a más capas de señal.
Ilustración 2. Diferencia de grosor
Borde curvo
Los módulos DDR4 tienen un borde curvo para ayudar con la inserción y aliviar el estrés de la PCB durante la instalación de memoria.
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