Arquitectura Del Subsistema De Memoria; Dimm De Rango Único, Rango Doble Y Cuatro Rangos - HP ProLiant BL460c Gen9 Guía De Usuario

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este blade de servidor se divide en canales. Cada procesador admite
cuatro canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente tabla.
Canal
1
2
3
4
Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM
(Ubicación de las ranuras DIMM en la página
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Las ranuras de DIMM de este blade de servidor se identifican por un número y letra. Las letras
identifican el orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar
(de reserva).
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En
la práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble en el
mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de servidor selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en un DIMM
o lee desde este.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de
memoria DRAM en el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el
módulo DIMM parezca un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM aísla
la carga eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Esto
permite una mayor velocidad de funcionamiento de la memoria en comparación con la de los
módulos RDIMM de cuatro rangos.
ESES
Ranura
A
E
B
F
C
G
D
H
7)".
Número de ranura
1
2
3
4
8
7
6
5
Opciones de memoria 31