Hp Smartmemory; Arquitectura Del Subsistema De Memoria; Dimm De Rango Único, Rango Doble Y Cuatro Rangos - HP ProLiant ML350 Gen9 Guía De Usuario

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Para obtener más información acerca de las características, especificaciones, opciones,
configuraciones y compatibilidad del producto, consulte las QuickSpecs (Especificaciones rápidas)
del producto en la página web de HP (http://www.hp.com/go/qs).

HP SmartMemory

HP SmartMemory autentica y desbloquea ciertas características disponibles solo en la memoria
HP Qualified y verifica si la memoria instalada ha pasado los procesos de certificación y de pruebas
de HP. La memoria Qualified presenta un rendimiento ajustado a los servidores HP ProLiant y
BladeSystem y proporciona mayor compatibilidad a través del software de gestión y HP Active
Health.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales y cada canal admite tres ranuras DIMM.
Canal de subsistema de
memoria
1
2
3
4
Para la ubicación de los números de ranura, consulte "ranuras DIMM
en la página
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria auxiliar en línea.
Las ranuras DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de reserva).
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
50
Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware
Orden de ocupación
A
E
I
B
F
J
C
G
K
D
H
L
11)."
Número de ranuras
(procesador 2)
12
11
10
9
8
7
1
2
3
4
5
6
(Ranuras DIMM
Número de ranuras
(procesador 1)
1
2
3
4
5
6
12
11
10
9
8
7
ESES

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