Potencia emitida de AF (Dependiente de la parametrización)
Ʋ Densidad de potencia de emisión
media espectral
Ʋ Densidad de potencia de emisión
espectral máxima
Ʋ Densidad de potencia máxima a 1 m
de distancia
Condiciones ambientales
Temperatura ambiente, de almacenaje y
de transporte
Condiciones de proceso
Para las condiciones de proceso hay que considerar adicionalmente las especificaciones en la
placa de tipos. Siempre se aplica el valor mínimo.
Junta
FKM (SHS FPM 70C3
GLT)
FFKM (Kalrez 6375)
FFKM (Kalrez 6230)
Grafito
Grafito
Conexión a proceso alea-
ción C22 (2.4602)
Presión en el depósito antena de trompeta
Ʋ Cono adaptador de antena PTFE
Ʋ Cono adaptador de antena PEEK
Ʋ Cono adaptador de antena cerámica
Presión del depósito - antena parabólica -1 ... 6 bar (-100 ... 6000 kPa/-14.5 ... 870 psig)
Presión del depósito con soporte orien-
table
Presión del depósito referida a la escala
de presión nominal de la brida
Resistencia a la vibración
Ʋ Antena de trompeta
EIRP: Equivalent Isotropic Radiated Power.
6)
No para vapor de agua.
7)
No para vapor de agua.
8)
VEGAPULS 62 • HART y paquete de acumuladores
-14 dBm/MHz EIRP
+43 dBm/50 MHz EIRP
< 1 µW/cm²
-40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
Cono adaptador de an-
tena
PTFE
PTFE
7)
PEEK
8)
PTFE
PEEK
PTFE
PEEK
Cerámica
Cerámica
-1 ... 40 bar (-100 ... 4000 kPa/-14.5 ... 580 psig)
-1 ... 100 bar (-100 ... 10000 kPa/-14.5 ... 1450 psig)
-1 ... 160 bar (-100 ... 16000 kPa/-14.5 ... 2320 psig)
-1 ... 1 bar (-100 ... 100 kPa/-14.5 ... 14.5 psig)
Ver instrucción adicional "Bridas según DIN-EN-ASME-
JIS"
4 g a 5 ... 200 Hz según EN 60068-2-6 (Vibración en
caso de resonancia)
6)
Temperatura de proceso (medida en la conexión
al proceso)
-40 ... +130 °C (-40 ... +266 °F)
-40 ... +200 °C (-40 ... +392 °F)
-40 ... +200 °C (-40 ... +392 °F)
-20 ... +130 °C (-4 ... +266 °F)
-20 ... +250 °C (-4 ... +482 °F)
-15 ... +130 °C (5 ... +266 °F)
-15 ... +250 °C (5 ... +482 °F)
-196 ... +450 °C (-321 ... +842 °F)
-196 ... +400 °C (-321 ... +752 °F)
11 Anexo
73