ABB 670 Relion Serie Manual De Aplicaciones página 93

1MRK 505 181-UES C
Manual de Aplicaciones
originales. Esto es producto de la saturación del TC, un fenómeno que los
ingenieros de protección conocen muy bien. Mientras cualquiera de los TC
conectados al IED diferencial se satura, la suma de todas las corrientes secundarias
de los TC no es igual a cero y el IED mide la corriente diferencial falsa. Este
fenómeno tiene una importancia especial para las aplicaciones de protección
diferencial de barra, ya que tiene una gran tendencia a causar el funcionamiento no
deseado del IED diferencial.
Un factor adicional es la remanencia en el núcleo magnético de un TC, que puede
afectar la corriente secundaria del TC. Puede mejorar o reducir la capacidad del TC
para transferir correctamente la corriente primaria al lado secundario. Sin embargo,
la remanencia del TC es un parámetro aleatorio y en la práctica no es posible
predecirla con precisión.
Otro fenómeno transitorio, y quizá menos conocido, se produce en el circuito
secundario del TC en el instante en que se interrumpe una corriente primaria alta.
Es particularmente dominante si el interruptor de alta tensión corta la corriente
primaria antes de su cruce cero natural. Este fenómeno se manifiesta como un
componente de CC que decae de manera exponencial en el circuito secundario del
TC. Esta corriente CC secundaria no tiene ninguna corriente primaria
correspondiente en la red eléctrica. El fenómeno se puede explicar fácilmente como
una descarga de la energía magnética almacenada en el núcleo magnético del TC
mientras hay una corriente primaria alta. Según el tipo y diseño del TC, esta
corriente de descarga puede tener una constante de tiempo de alrededor de cien
milisegundos.
Por consiguiente, todos estos fenómenos se deben considerar en la etapa de diseño
de un IED diferencial de barra, a fin de prevenir el funcionamiento no deseado del
IED cuando se producen faltas externas.
La generación analógica de los IED diferenciales de barra (es decir,RADHA,
RADSS, REB103) por lo general resuelve todos estos problemas causados por las
características no lineales de los TC al utilizar la conexión galvánica entre los
circuitos secundarios de todos los TC conectados a la zona protegida. Gracias al
diseño de estos IED, la distribución de corriente a través de la rama diferencial del
IED en todas las condiciones transitorias causadas por la no linealidad de los TC no
provoca el funcionamiento no deseado del IED. Para lograr la distribución
necesaria de corriente secundaria de los TC, la carga resistiva en los circuitos
secundarios de cada TC se debe mantener por debajo del valor precalculado, a fin
de garantizar la estabilidad del IED.
En los nuevos IED de protección numérica, todas las entradas de los TC y los TT
tienen una separación galvánica. Todas las muestras de cantidades de entradas
analógicas se toman con una frecuencia de muestreo constante y, después, los
valores discretos se transfieren a valores numéricos correspondientes (es decir,
conversión analógica-digital). Después de estas conversiones, solamente se utilizan
los números en los algoritmos de protección. Por lo tanto, para los IED
diferenciales numéricos modernos, es posible que la resistencia del circuito
secundario del TC ya no sea un factor decisivo.
Sección 3
Aplicación del IED
87