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Transpondedores RF300
7.1 Estructura de memoria de los transpondedores RF300
Figura 7-1
Estructura de memoria de los transpondedores RF300
Área EEPROM
La memoria de un transpondedor RF300 está compuesta siempre por un área EEPROM, con 20
bytes para datos de usuario (read/write) y un número de serie único de 4 bytes (UID, read only).
Por causas de normalización el UID se transmite como valor de 8 bytes y mediante un comando
de lectura a la dirección FFF0 con una longitud de 8. Los 4 bytes más significativos no utilizados
se completan con ceros.
Nota
Accesos de escritura
Los accesos de escritura cuya longitud no sea divisible entre 4 sin resto se acusan con un error
de dirección.
Nota
Velocidad de escritura
La memoria de usuario EEPROM (dir. FF00-FF13, o FF80-FF90) necesita mucho más tiempo para
escribir (aprox. 11 ms/byte) que la memoria rápida FRAM. Por ello, para aplicaciones con función
de escritura en las que el tiempo es una variable crítica, se recomienda usar transpondedores
con FRAM (p. ej. RF330T, RF340T, RF350T, RF360T, RF370T, RF380T).
Área FRAM
Excepto el RF320T, los transpondedores RF300 disponen de una memoria FRAM rápida (8, 32,
64 o 256 KB).
El comando para la inicialización del soporte de datos (INIT) solo actúa en la memoria FRAM con
los transpondedores RF300 provistos de dicha memoria, y no en el área EEPROM (FF00-FF13).
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Manual de sistema, 02/2021, C79000-G8978-C345-09
SIMATIC RF300
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