Influencia De Campos Secundarios - Siemens SIMATIC Ident Manual De Sistema

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Planificación del sistema RF300
4.1 Bases de la planificación de la aplicación
4.1.4

Influencia de campos secundarios

Por lo general, en un rango de 0 mm al 30 % de la distancia límite existen siempre campos
secundarios (S
No obstante, para efectos de configuración estos únicamente deberían consultarse en casos
excepcionales, ya que las distancias de escritura/lectura son muy limitadas. No es posible
precisar las geometrías de los campos secundarios presentes porque los valores dependen en
gran medida de la distancia operativa y el tipo de aplicación. Al trabajar en el área dinámica se
debe tener en cuenta que la presencia del tag se puede perder temporalmente durante la
transición del campo secundario al campo principal. Por ello se recomienda elegir una distancia
superior al 30% de S
Figura 4-3
44
).
g
.
g
2
Campo principal
Campo secundario
Orificio de campo generado por campos secundarios
1
2
Manual de sistema, 02/2021, C79000-G8978-C345-09
SIMATIC RF300

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