Festo 8005374 Manual De Instrucciones página 68

Kurzbeschreibung der Bauteile Brief description of the components
Descripción resumida de los componentes Brève description des composants
750968 PNP Transistor PNP transistor Transistor PNP Transistor PNP
Änderungen vorbehalten Subject to change Reservado el derecho de modificación Sous réserve de modifications
750970 P-Kanal Feldefekttransistor P-channel field effect transistor
Transistor de efecto campo canal P Transistor à effet de champ canal P
Änderungen vorbehalten Subject to change Reservado el derecho de modificación Sous réserve de modifications
750969 N-Kanal Feldefekttransistor N-channel field effect transistor
Transistor de efecto campo canal N Transistor à effet de champ canal N
Änderungen vorbehalten Subject to change Reservado el derecho de modificación Sous réserve de modifications
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de
Dieses Bauteil enthält:
– einen PNP Transistor Typ BC160 mit U
en
This component contains:
– A PNP transistor of type BC160 with U
es Este componente incluye:
– un transistor PNP del tipo BC160 con U
fr Ce composant contient :
– un transistor PNP de type BC160 qvec U
de Dieses Bauteil enthält:
– einen P Kanal FET Typ J176 mit U
en This component contains:
– A P channel FET of type J176 with U
es Este componente incluye:
– un transistor de efecto campo canal P del tipo J176 con U
U = 30 V, I
= 50 mA
GS GF
fr Ce composant contient :
– un FET canal P de type J176 avec U
de
Dieses Bauteil enthält:
– einen N Kanal FET Typ J112 mit U
en This component contains:
– A N channel FET of type J112 with U
es Este componente incluye:
– un transistor de efecto campo canal N del tipo J112 con U
U = -35 V, I
= 50 mA
GS GF
fr Ce composant contient :
– un FET canal N de type J112 avec U
= 40 V, U = 40 V, I
= -1 A
CBO CEO c
= 40 V, U = 40 V, I
= -1 A
CBO CEO c
= 40 V, U = 40 V, I
CBO CEO c
= 40 V, U = 40 V, I
CBO CEO
= -30 V, U = 30 V, I
= 50 mA
DG GS GF
= -30 V, U = 30 V, I
= 50 mA
DG GS GF
= -30 V,
DG
= -30 V, U = 30 V, I
= 50 mA
DG GS GF
= 35 V, U = -35 V, I
= 50 mA
DG GS GF
= 35 V, U = -35 V, I
= 50 mA
DG GS GF
= 35 V,
DG
= 35 V, U = -35 V, I
= 50 mA
DG GS GF
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= -1 A
= -1 A
c