Especificaciones - ASROCK H670 PG Riptide Manual De Instrucciones

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  • ESPAÑOL, página 88

1.2 Especificaciones

Plataforma
CPU
Conjunto de
chips
Memoria
Ranura de
expansión
Gráficos
86
• Factor de forma ATX
• Diseño de condensador sólido
• Compatible con la 12
(LGA1700)
• Diseño de 9 fases de alimentación
• Compatible con la Tecnología Híbrido de Intel®
• Admite Intel® Turbo Boost Technology 3.0
• Intel® H670
• Tecnología de memoria DDR4 de doble canal
• 4 x ranuras DIMM DDR4
• Admite memoria DDR4 no ECC, sin búfer de hasta 5000+(OC)*
* Admite DDR4 3200 de forma nativa.
* Para obtener más información, consulte la lista de memorias
compatibles en el sitio web de ASRock. (http://www.asrock.com/)
• Admite módulos de memoria UDIMM ECC (funcionamiento en
modo no ECC)
• Capacidad máxima de memoria del sistema: 128GB
• Admite Perfil de memoria extremo de Intel® (XMP) 2.0
• 2 ranuras PCIe x16 (PCIE1/PCIE3: simple a Gen5x16 (PCIE1);
dual a Gen5x16 (PCIE1) / Gen4x4 (PCIE3))*
* Admite unidad de estado sólido de NVMe como disco de arranque
• 3 ranuras PCIe Gen3x1
• Compatible con AMD CrossFire
• 1 x Zócalo M.2 (Clave E), es compatible con los PCIe WiFi módulos
WiFi/BT tipo 2230 e Intel® CNVi (WiFi/BT integrado)
• Intel® UHD Graphics Built-in Visuals y las salidas de VGA son
compatibles únicamente con procesadores con GPU integrado.
• Arquitectura de gráficos Intel® X
a
generación de procesadores Intel® Core
TM
e
(Generación 12)
TM

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