Dell PowerEdge R420 Manual Del Propietário página 52

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NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS (fiabilidad,
disponibilidad y facilidad de reparación). Sin embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los
módulos DIMM de DRAM x4 conservan SDDC (corrección de datos de dispositivo único) en el modo optimizado
(canal independiente) de memoria o en el modo de ECC avanzada. Los módulos DIMM de DRAM x8 precisan del
modo de ECC avanzada para obtener SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo.
Modo de ECC avanzada (Lockstep)
El modo de ECC avanzada amplía SDDC de módulos DIMM de DRAM x4 a DRAM x4 y x8. Esta ampliación ofrece
protección frente a fallos de chip de DRAM sencillos durante el funcionamiento.
Pautas para la instalación de la memoria:
Los zócalos de memoria A1, A4, B1 y B4 están desactivados y no admiten el modo de ECC avanzada.
Los módulos DIMM deben instalarse en pares coincidentes: los módulos DIMM instalados en los zócalos de
memoria (A2 y B2) deben coincidir con los módulos DIMM instalados en los zócalos de memoria (A3 y B3) y los
módulos DIMM instalados en los zócalos de memoria (A5 y B5) deben coincidir con los módulos DIMM instalados
en los zócalos de memoria (A6 y B6).
NOTA: No se admite el modo de ECC avanzada con duplicación.
Modo Optimized (Independent Channel) (Optimización, canal independiente)
Este modo admite SDDC sólo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4 y no impongan
requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar activada en el programa de Configuración
del sistema.
En este modo, se reserva para sustitución un banco por canal. Si se detectan errores persistentes y corregibles en un
banco, sus datos se copian en el banco de sustitución y se deshabilita el banco en el que se producen los errores.
Con la sustitución de memoria activada, la memoria disponible del sistema para el sistema operativo se reduce a un
banco por canal. Por ejemplo, en un sistema con tres módulos DIMM duales de 8 GB, la memoria disponible del sistema
es: 1/2 (bancos/canal) × 3 (DIMM) × 8 GB = 12 GB, y no 3 (DIMM) × 8 GB = 24 GB.
NOTA: La sustitución de memoria no ofrece protección frente a errores de varios bits incorregibles.
NOTA: Los modos Advanced ECC/Locstep (ECC avanzada/Locstep) y Optimizer (Optimización) admiten la función
de sustitución de memoria.
Duplicación de memoria
La función Duplicación de memoria ofrece el modo de fiabilidad DIMM más seguro en comparación con el resto de
modos, ofreciendo protección mejorada ante fallos de varios bits incorregibles. En una configuración duplicada, el total
de memoria del sistema disponible se corresponde con la mitad de la memoria física instalada. La mitad de memoria
instalada se utiliza para duplicar los módulos DIMM activos. Si se produce un error incorregible, el sistema conmutará a
la copia duplicada. Se garantiza así la SDDC (corrección de datos de dispositivo único) y la protección de varios bits.
Pautas para la instalación de la memoria:
NOTA: El primer canal de memoria para cada procesador (Canal 1) está desactivado y no se encuentra disponible
para la función Duplicación de memoria.
Por tanto, deben ocuparse los canales de memoria 2 y 3.
Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y tecnología.
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