•
No introduzca el tercer socket DIMM en un canal con pestañas de liberación verdes si existe un RDIMM cuádruple en el primer socket
con pestaña de liberación blanca.
•
Inserte los zócalos según la numeración de rango más alta, en el siguiente orden: primero en los zócalos con palancas de liberación
blancas, seguido de las negras y verdes. Por ejemplo, si se desea combinar DIMM cuádruples y dobles, introduzca los DIMM cuádruples
en los sockets con pestañas de liberación blancas y los DIMM dobles en los sockets con pestañas de liberación negras.
•
En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador debe ser idéntica. Por ejemplo, si
utiliza el zócalo A1 para el procesador 1, utilice el zócalo B1 para el procesador 2, y así sucesivamente.
•
Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización de la memoria (por ejemplo, se
pueden combinar módulos de memoria de 2 GB y 4 GB).
•
Rellene 4 módulos DIMM por procesador (1 DIMM por canal) cada vez para maximizar el rendimiento.
•
Si se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, funcionarán a la velocidad del módulo más lento o a una velocidad
inferior, en función de la configuración DIMM del sistema.
•
Instale los módulos DIMM según las siguientes configuraciones de procesador y disipador de calor.
Configuración del
procesador
Procesador único
Procesador único
Procesador único
Dos procesadores
Dos procesadores
Dos procesadores
NOTA:
En el caso de un disipador de calor de 97 mm, ECC avanzado solo es compatible con 4 módulos DIMM por
procesador. No se admite ECC avanzado con duplicación y sustitución de memoria en esta configuración.
Pautas específicas de los modos
Cada procesador tiene asignados cuatro canales de memoria. Las configuraciones posibles dependen del modo de memoria seleccionado.
NOTA:
Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin embargo, se deben
seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4 conservan SDDC (Corrección de datos de
dispositivo único - SDDC) en el modo optimizado (canal independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8
requieren de ECC avanzada para lograr SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo.
ECC avanzado (Lockstep)
El modo de ECC avanzado amplía SDDC de módulos DIMM basados en DRAM x4 tanto a DRAM x4 y x8. Esta ampliación supone
protección ante errores de chip DRAM sencillos durante el funcionamiento.
Pautas para la instalación de memoria:
•
Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y tecnología.
•
Los módulos DIMMs instalados en sockets de memoria con pestañas de liberación blancas deben ser idénticos. La misma regla se
aplica a aquellos módulos instalados en los sockets con pestañas negras y verdes. Se garantiza así que se instalen módulos DIMM
idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4, A5 con A6 y así sucesivamente.
NOTA:
No se admite ECC avanzada con duplicación.
Tipo de
Disipador
procesador
de calor
(en vatios)
hasta 95 W
57 mm
115 W o 130 W 77 mm
E5-2643,
97 mm
E5-2637
versión 2 o
EOT
hasta 95 W
57 mm
115 W o 130 W 77 mm
E5-2643,
97 mm
E5-2637
versión 2 o
EOT
Número de módulos DIMM
Capacidad máxima del sistema
12
10 (tres DIMM en los canales 1 y 3,
y dos DIMM en los canales 0 y 2)
8 (tres DIMM en los canales 1 y 3, y
un DIMM en los canales 0 y 2)
24
20 (tres DIMM en los canales 1 y 3,
y dos DIMM en los canales 0 y 2)
16 (tres DIMM en los canales 1 y 3,
y un DIMM en los canales 0 y 2)
Instalación de los componentes del módulo de alta densidad
Características de fiabilidad,
disponibilidad y facilidad de
mantenimiento (RAS)
12
8 (2 DIMM por canal)
4 (un DIMM por canal)
24
16 (2 DIMM por canal)
8 (un DIMM por canal)
31