Guía de inicio rápido
7.4 Europa
E8 Antideflagrante y a prueba de polvos según ATEX
Certificación: KEMA00ATEX2013X; Baseefa11ATEX0275X
Normas:
Marcas:
Tabla 4. Temperatura del proceso
Clase de temperatura
Condiciones especiales para un uso seguro (X):
1. Este dispositivo contiene un diafragma de pared estrecha. Al instalar el equipo, usarlo y
darle mantenimiento, se deberán tener en cuenta las condiciones ambientales a las que
estará expuesto el diafragma. Deberán seguirse específicamente las instrucciones del
fabricante para la instalación y el mantenimiento a fin de garantizar la seguridad durante
su estimada vida útil.
2. Para obtener información sobre las dimensiones de las juntas incombustibles,
comuníquese con el fabricante.
3. Algunas variantes del equipo tienen marcas reducidas en la placa de características.
Consultar la certificación para obtener información completa sobre las marcas del
equipo.
I1 Seguridad intrínseca y a prueba de polvos según ATEX
Certificación: BAS97ATEX1089X; Baseefa11ATEX0275X
Normas:
Marcas:
Tabla 5. Parámetros del entrada
Parámetro
Tensión U
Corriente I
Alimentación P
Capacitancia C
Inductancia L
Condiciones especiales para un uso seguro (X):
1. El aparato no es capaz de resistir la prueba de aislamiento a 500 V requerida por la
cláusula 6.3.12 de EN60079-11:2012. Se debe tener esto en cuenta cuando se instala el
aparato.
2. La carcasa podrá ser de aleación de aluminio y puede tener un acabado de pintura
protectora de poliuretano; sin embargo, se debe tener cuidado para protegerla contra
impactos o abrasión, si se encuentra en la zona 0.
3. Algunas variantes del equipo tienen marcas reducidas en la placa de características.
Consultar la certificación para obtener información completa sobre las marcas del
equipo.
16
EN60079-0:2012 + A11:2013, EN60079-1:2007, EN60079-26:2007,
EN60079-31:2009
II 1/2 G Ex d IIC T6/T5 Ga/Gb, T6 (—50 °C T
T5 (—50 °C T
+80 °C)
a
II 1 D Ex ta IIIC T95 °C T
Temperatura del proceso
T6
T5
EN60079-0:2012, EN60079-11:2012, EN60079-31:2009
HART:
II 1 G Ex ia IIC Ga T4 (—60 °C T
Fieldbus/PROFIBUS:
Polvo:
II 1 D Ex ta IIIC T95 °C T
HART
30 V
i
200 mA
i
0,9 W
i
0,012 μF
i
0 mH
i
105 °C Da (—20°C T
500
—50 °C a +65 °C
—50 °C a +80 °C
II 1 G Ex ia IIC Ga T4 (—60 °C T
105 °C Da (—20 °C T
500
Fieldbus/PROFIBUS
30 V
300 mA
1,3 W
0 μF
0 mH
Marzo 2019
+65 °C),
a
+85°C)
a
+60 °C)
a
+60 °C)
a
+85 °C)
a