SICK nanoScan3 I/O Instrucciones De Uso página 119

8024598/15VP/2019-11-15 | SICK
Sujeto a cambio sin previo aviso
Tabla 32: Datos eléctricos
Datos de servicio
Clase de protección
Tensión de alimentación V
Ondulación residual
Corriente de arranque para
24 V
Consumo de corriente para 24 V
Sin carga de salida Típ. 0,16 A
Con carga de salida máxima Típ. 0,66 A
Consumo de potencia
Sin carga de salida Típ. 3,9 W
Con carga de salida máxima Típ. 15,9 W
Intensidad de salida total
Tiempo de conexión
Salidas conmutadas seguras (OSSD)
Tipo de salida
Tensión de salida - estado
ON (HIGH)
Tensión de salida - estado
OFF (LOW)
Intensidad de salida - estado
ON (HIGH)
Corriente de fuga
Inductancia de carga
Capacidad de carga
Secuencia de conmutación
(sin conmutación ni super‐
visión simultánea)
Resistividad admisible entre
la carga y el dispositivo
Duración de impulso de
prueba
Intervalo de impulso de
prueba
Duración del estado OFF
Tiempo de discrepancia
(desfase de tiempo entre la
conexión de OSSD2 y
OSSD1 dentro de un par de
salidas conmutadas seguras
(OSSD))
Salida universal, E/S universal (configurada como salida)
Tensión de salida HIGH
Tensión de salida LOW
Intensidad de salida HIGH
Corriente de fuga
nanoScan3 Core I/O
III (IEC 61140)
24 V CC (16,8 V ... 30 V CC) (SELV/PELV)
S
± 5%
2)
≤ 1,3 A
≤ 500 mA
≤ 12 s
2 semiconductores PNP en cada pareja de OSSD, protegidos
contra cortocircuitos, con supervisión de cortocircuito
(U – 2 V) ... U
V V
0 V ... 2 V
0,5 mA ... 250 mA por OSSD
≤ 250 µA
≤ 2,2 H
≤ 1 µF en serie con 50 Ω
Dependiendo de la inductancia de carga
≤ 4 Ω
≤ 300 µs (típ. 230 µs)
Típ. 8 × tiempo del ciclo de exploración
≥ 80 ms
≤ 1 ms
(U – 2 V) ... U
V V
0 V ... 2 V
0,5 mA ... 200 mA
3)
≤ 250 µA
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DATOS TÉCNICOS
nanoScan3 Pro I/O
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