BTL7-A/C/E/G5 _ _-M _ _ _ _-HB/WB-KA_ _/K_ _/FA_ _/F_ _
마이크로펄스 트랜스듀서 - 로드 스타일
3
구성 및 기능
BTL7...HB/WB-...
축형
장착 표면
55
60
29.5
0.5 / Ø 25
3)
Ø 58–62 후크
스패너의 경우 Ø 5
BTL7...HB/WB-...
방사형
M18x1.5
24
그림 3-1: BTL7...HB/WB... 변환기, 구성 및 기능
3.1
구성
전기 연결: 전기 연결은 케이블을 통해 영구적으로
구성됩니다(24페이지의 형식 코드 분류 참조).
하우징: 처리 전자 장치가 포함된 하우징.
장착 나사산: 장착 나사산에는 다음의 트랜스듀서를
조립할 것을 권장합니다.
–
BTL7-...-HB-...: M18×1.5
–
BTL7-...-WB-...: 3/4"-16UNF
트랜스듀서에는 더 큰 공칭 길이를 지지하기 위하여
로드의 끝에 추가 나사산이 구성됩니다.
자석: 도파관에서 측정할 위치를 정의합니다. 자석은
다양한 모델로 제공되며 별도로 주문해야 합니다
(22페이지의 부속품 참조).
공칭 길이: 가능한 측정 범위를 정의합니다. 해당 버전에
따라 25 mm ~ 7620 mm의 다양한 공칭 스트로크 길이를
가진 로드를 사용할 수 있습니다.
댐핑 구역: 측정에 사용할 수 없지만 넘어갈 수 있는 로드
끝 부분의 영역.
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HB: 30-1 mm
WB: 2"-0.04"
공칭 길이 =
1)
측정 범위
2)
자석
나사산 크기:
HB: M18×1.5
25
WB: 3/4"-16UNF
45
1)
댐핑 구역
60
나사산
M4x4/6 깊이
1) 미사용 영역
2) 제공 범위에 포함되지 않음
3) M18이 있는 케이블 보호 시스템의
연결 옵션(23페이지의 부속품 참조)
3.2
기능
마이크로펄스 트랜스듀서에는 외부 스테인리스강
관(로드)으로 보호되는 도파관이 포함됩니다. 자석은
이 도파관을 따라 움직입니다. 이 자석은 위치가
결정되어야 하는 시스템 부품에 연결됩니다.
자석은 도파관에서 측정할 위치를 정의합니다.
내부에서 생성된 INIT 펄스는 자석의 자기장과 상호
작용하여 초음파 속도로 전파되는 도파관에 비틀림
파동을 생성하게 됩니다.
도파관의 끝단에 도달하는 비틀림파의 성분은 반사
방지를 위해 댐핑 영역에 흡수됩니다. 도파관의 시작
부분에 도달하는 비틀림파의 성분은 코일에 의해 전기
신호로 변환됩니다. 파장의 이동 시간은 위치 계산에
사용됩니다. 버전에 따라 이 정보는 상승 또는 하강
기울기가 있는 전압 또는 전류로 사용할 수 있습니다.
Ø 60
45
7
한국어